手机芯片大厂高通（Qualcomm）的 Quick Charge 4.0 快充技术，早在 2016 年就公布。不过，在 2017 年前后推出的 SONY 旗舰机 XZ Premium、三星的 S8，以及小米 6 等首批高通骁龙 835 芯片的手机中，却都没有搭载这个最新版的快充技术。如今，高通则选择公布了新 Quick 双路充电分流了充电电流，使得 Quick Charge 4.0+ 快充技术，相比 QC 4.0 有更快充电速度，而且还强化了其安全性。
高通表示，新型的 QC 4.0+ 快充技术包含了所有 QC 4.0 特性，另外还增进了 3 项特点。首先就是配备双路充电，这在之前版本中是设计为可选则选项。这次列入准选项，是因为支援 QC 4.0+ 的设备必须有双电源管理 IC，用以降低充电时的发热状况，另外还提高充电速度。
第二项增进的特点是为了智慧热平衡所进行的设计。这样特点用于在双路充电中，可以自动把电流调节到冷的一方上，避免充电过程中产生热点。最后一个增进的项目则是为强化了充电时的安全性。这其中包含了更严格的安全协议，还会同时监测设备外壳和界面的温度，防止发生充电过热的情况发生。在这些改进下，以 2,750mAh 的电池进行测试，QC 4.0+ 相比前一代的 QC 4.0 加快了 15% 的充电速度，还提高了 30% 的充电效率，另外还降低了 3°C 发热温度。
目前首款搭载高通 QC 4.0+ 快充的手机为 1 日晚间所发表的努比亚（Nubia）旗舰级新机 Z17，而且高通预计，2017 年接下来的新款手机都可能都会跳过 QC 4.0，直接搭载 QC 4.0+ 快充技术，届时消费者就可以拭目以待。
（首图来源：高通）
