以 Toshiba 独家 BiCS 设计所打造之 MLC 3D NAND Flash。
在 3D NAND Flash 的领域，相对于 Samsung 的 3D V-NAND，由 Toshiba 与 Sandisk 这组长期的合作伙伴所推出的产品称为 BiCS，或是 P-BiCS（Pipe-shaped Bit Cost Scalable），日前正式宣布推出了最新的 BiCS 产品，堆叠层数也来到了 48 层，超过了先前的 16 层堆叠，也超越了目前 Samsung 的 32 层 3D V-NAND。
新推出的 BiCS ，为 2 bit MLC 的配置，透过了 48 层堆叠，来到了 16GB（128Gb），内部设计与 3D V-NAND 同样为 Charge Trap Flash（CTF）。
目前 Toshiba 已经准备送样给合作伙伴，另外量产地点将会在 Toshiba 于日本四日市的 Fab 2 进行，目前 Fab 2 预计将在 2016 年上半竣工。
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