鸿海研究院半导体研究所所长郭浩中因长期致力于化合物半导体研究，荣获中国工程师学会 110 年度“杰出工程师教授奖”；更于今日前往总统府晋见总统蔡英文。鸿海研究院表示，未来将积极投入化合物半导体领域，协助台湾将过去在硅半导体产业的卓越经验，成功复制到化合物半导体领域，为打造台湾电动车生态系，投入更多新研发动能。
全球电动车产业即将迎来高成长期，化合物半导体将成为不可或缺的重要材料元件，鸿海研究院今年发表的 40 多篇论文当中，半导体研究所就占了 10 篇。
郭浩中表示，化合物半导体是未来全球电动车产业极具战略价值的关键零组件，如何去改善或强化碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）制程及可靠度等，对台湾延续在半导体产业的影响力，有其必要性与即时性。
据悉，今年 5 月从阳明交大借调至鸿海研究院的郭浩中，近年两度获得科技部杰出研究奖和未来科技突破奖等重要殊荣，共发表超过 500 篇国际期刊，累积达 16,000 次引用、300 篇国际研讨会论文、国内外专利 37 篇及专书 4 本。同时在 2012 至 2015 年间获选为国际光电工程学会会士（SPIE Fellow）、美国光学学会会士（OSA Fellow）、国际工程技术学会会士（IET Fellow）及国际电机电子工程学会会士（IEEE Fellow）。
而在本届中工会“杰出工程师教授”奖项中，郭浩中以化合物半导体之 GaN 功率元件异质磊晶相关研究获得评选；该研究有助于电动车、资料中心和 ICT 相关产品快充、节能元件的耐压与可靠度，进一步推动高功率充电器发展。
（首图来源：鸿海）
