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美光抗中国挖角兴讼,联电:个人行为

2024-12-29 206

美光(Micron)传出采取法律行动反击中国厂挖角,联电表示,确实有员工接获诉讼通知,不过,仅个人行为,与公司无关,DRAM 技术研发计划持续不变。

中国积极投入内存领域发展,因三星(Samsung)等动态随机存取内存(DRAM)大厂都无意合作授权,除晋华寻求与联电合作外,其余中国厂则高薪挖角美光收购的华亚科与瑞晶员工。

为防止相关营业和技术机密遭窃取,美光传出采取法律行动反击中国厂挖角。市场同时传出,由晋华出资设在联电南科厂的试产线也因而暂时停止。

美光表示,针对资讯可能遭盗用,配合台湾执法单位调查,因调查仍在进行,无法提供进一步资讯。联电指出,目前 DRAM 仍处制程技术开发阶段,尚无试产线,并无外传试产线暂停的情况。

联电表示,确实有员工接获诉讼通知,不过,仅个人行为,与公司无关,不便代员工说明,DRAM 技术研发计划仍将持续不变。

(作者:锺荣峰;首图来源:shutterstock)

2019-03-26 19:30:00

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