内存控制芯片大厂慧荣 (SIMO)，21 日宣布推出一系列最新款超高效能、低功耗的 PCIe 4.0 NVMe 1.4 控制芯片解决方案，用以满足全方位巿场需求。而新推出的产品包括专为高阶旗舰型 Client SSD 设计的 SM2264、为主流 SSD 市场开发的 SM2267，以及适用于入门级新型小尺寸应用的 SM2267XT DRAM-Less 控制芯片等。
慧荣表示，最新款 SSD 控制芯片解决方案符合 PCIe 4.0 NVMe 1.4 规范，能展现 Gen4 的超高效能和低功耗特性，结合慧荣独家的错误码修正 (ECC) 技术、资料路径和 EMI 保护，提供完整、稳定的资料保护，满足储存设备所需的高效稳定需求。而目前全球已有 10 家重量级客户，包括 NAND 大厂和 SSD OEM 采用慧荣的 Gen 4 控制芯片来搭载 3D TLC 或 QLC NAND 推出新品。
慧荣总经理苟嘉章表示，PCIe Gen4 将 SSD 的效能往上推升到另一个层次。而最新款的 PCIe 4.0 SSD 控制芯片为消费级 SSD 应用提供一套完整的解决方案，能满足全球 PC OEM 和 SSD 模组领导厂商的长远需求。目前，多家 OEM 大厂客户已开始导入慧荣最新款的 Gen 4 SSD 控制芯片在各家的新品开发中。其中，已搭载 SM2267 控制芯片的品牌 SSD 已进入量产阶段。
慧荣进一步指出，其针对高效能和车用等级的 PCIe Gen 4 的解决方案──SM2264 主要瞄准高效能和车用级 SSD 应用。其搭载 4 个 ARM Cortex-R8 CPU 核心，内含 4 个 16Gb/s PCIe 资料总线，并支援 8 个 NAND 通道，每个通道最高可达每秒 1,600 MT。而 SM2264 的先进架构采用 12 奈米制程，能够大幅提升资料传输速率、降低功耗，以及提供更严密的资料保护，连续读写效能最高可达 7,400MBs / 6,800 MBs，随机读写速度最高达 1,000K IOPS，提供使用者前所未有的超高效能体验。尤其 ARM Cortex-R8 架构能提供高速多执行绪处理能力，可满足新一代储存应用所需的混合工作负载作业需求。
另外，SM2264 还搭载慧荣最新第 7 代 NANDXtend 技术，结合慧荣科技专利的最新高效能 4KB LDPC 纠错码（ECC）引擎和 RAID 功能，为最新一代的 3D TLC 和 QLC NAND 提供极佳的错误校正能力。而且，内建 SR-IOV 功能的 SM2264 也是车用级储存装置的理想选择，最多可同时为 8 台虚拟机器 (VM) 提供直接的高速 PCIe 界面。SM2264 目前进入客户送样阶段。
至于，针对主流和入门级 PCIe Gen 4 解决方案的慧荣 SM2267 和 SM2267XT 则能满足主流消费级和高性价比 SSD 应用需求，其都具备 4 个 16Gb/s 通道的 PCIe 和 4 个 NAND 通道，每个通道的最高速度为 1,200 MT/s，而连续读写效能更可高达每秒 3,900/3,500 MB。其中，SM2267 则是包含 DRAM 界面，而 SM2267XT DRAM-less 控制芯片则可在不影响效能的前提下，满足小尺寸产品设计需求。两者均搭载 NANDXtend ECC 技术，并支援最新一代 3D TLC 和 QLC NAND，提供高效能、高可靠性，并符合经济效益的 PCIe NVMe SSD 解决方案。目前 SM2267 和 SM2267XT 已进入量产阶段。
(首图来源:慧荣科技提供)
