全球景气不甚明朗，据近来韩媒报导，韩国商业巨擘三星似乎开始调整脚步，先前才有韩媒指出，三星旗下事业正在加速大规模的重组，员工人数锐减、研发费用与研发中心投入的规模，也来到金融海啸以来的低点。17 日韩国时报（The Korea Times）再引用外资报告指出，三星今年 DRAM、NAND Flash 投资金额都将对半砍，相较几个 NAND Flash 厂商加大投资，产业是否出现消长同样值得关注。
韩国时报 17 日引述外资 RBC Capital Markets 报告指出，预料三星今年在 DRAM 的投资金额将会砍半，较去年投资金额 21 美元减少 51%。过去两年，三星在 DRAM 制程抢先转进 20 奈米，目前三星 DRAM 20 奈米制程占比已来到 60~70%，然而，与此同时，PC 市况不佳，DRAM 价格跌了逾 50%，因此报告预估，三星在 DRAM 的投资将回到 2011 年到 2013 年的周期，略为收手。
三星、SK 海力士与美光今年在 DRAM 制程开始 1X 奈米以下的技术竞逐，然报告认为，届 10 奈米在 2017 年大幅开出，三星才会再加大投资步伐。
在近期内存厂商积极抢进的 NAND Flash 市场情况亦如是，该份报告分析师 Amit Daryanani 预测，在 3D NAND Flash 扩产完成后，三星在 NAND Flash 年支出也会从 61 亿美元，降至 28 亿美元，削减约 54%。三星在 2015 年中，在中国西安厂积极扩产，报告预估，截至 2015 年底，西安厂 NAND Flash 产能已来到 9~10 万组，其中 48 层堆叠 3D NAND Flash 约 3 万组、32 层约 6~7 万组。
相较 2014、2015 年三星整体半导体资本支出超过 130 亿美元，报告预估 2016 年可能缩减至 90 亿美元。
各大厂仍扩产拼 3D NAND Flash 市占
相较于三星，其他内存大厂还是倾向扩张，尤其加大 3D NAND Flash 的投资，不只英特尔大连厂产能移转至 3D NAND Flash，SK 海力士在三月初也传出投入 15.5 兆韩圜（约 4,500 亿新台币）扩充 NAND Flash 产能，并于 2019 投产，而昨 17 日，东芝才宣布三年内要投资 3,600 亿日圆建厂扩产，同样押宝 3D NAND Flash。
报告认为，在业者纷纷转进 3D NAND Flash 下，平均销售价格（ASP）将被拉低，甚至可能出现价格暴跌的情形，使得部分厂商陷入困境。
不只内存，三星各大事业体都缩手
而在整体市况不佳下，三星似乎也在调整整体营运步伐，韩国媒体 Business Korea 16 日即报导，三星包含管理阶层、约聘职员在内的总员工人数在 2014 年底的 9.93 万人，到目前的 9.69 万人，减少了两千多人，报导指出，这为三星继 2008 年以来员工人数首度出现削减。
不少事业体也开始执行优退计划，如三星电池大厂 SDI 开始对副董与经理级主管进行优退，三星物产也开始接受 20013 年 3 月以前到职的员工自愿退休申请，报导同时指出，公司研发中心数量也从 2014 年的 44 座，删减、合并成 41 座。
外界揣测，三星大动作投资缩手、瘦身，或是为接下来可能的不景气预做准备。
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（首图来源：flickr/ETC-USC CC BY 2.0）
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