目前，两大韩系 NAND Flash 厂商──三星及 SK 海力士在之前就已经公布了新 NAND Flash 产品的发展规划。其中，三星宣布推出 136 层堆叠的第 6 代 V-NAND Flash 之外，SK 海力士则是宣布成功开发出 128 层堆叠的 4D NAND Flash，并已经进入量产阶段。不过，虽然两家厂商竞相推出 NAND Flash 的新产品，但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以，SK 海力士日前在一场会议上就公布了公司的规划，预计在 2030 年推出 800+ 层的 NAND Flash，届时将可轻松打造出 100 到 200TB 容量的 SSD。
在日前举行的 “ Flash Memory Summit ” 大会上，SK 海力士公布旗下新产品的规划以及公司的相关布局。根据内容指出，目前 SK 海力士正在开发 128 层堆叠的 4D NAND Flash，其量产时间将落在 2019 年第 4 季。另外， SK 海力士还展示了一款“PE8030”的全新 SSD，采用 PCIe 4.0×4 界面连接，提供了 800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量，连续读写速度最高可达 6200MB/s、3300MB/s，而 4KB 随机读写最高可达 950K IOPS、260K IOPS。
在研发发展方面，目前 SK 海力士正在研发 176 层 NAND Flash，而其他产品的发展，包括 72 层堆叠的 4D NAND Flash 目前大规模量产中，96 层堆叠的 4D NAND Flash 目前也在大规模量产中，而且未来产能即将超越 72 层堆叠的 4D NAND Flash。128 层堆叠的 4D NAND Flash 将于 2019 年第 4 季量产，176 层堆叠产品 2020 年问世、500 层堆叠产品则将于 2025 年问世，其 TB/wafer 容量比将可提升 30%。而 800+ 堆叠的 4D NAND Flash 则是预计 2030 年问世，TB/wafer 容量比提升到 100 到 200TB 的大小。
据了解，目前 SK 海力士生产的 128 层堆叠 NAND Flash 核心容量是 1Tbit，176 层堆叠的核心容量则是来到 1.38Tbit，预计 500 层堆叠时核心容量可达 3.9Tbit，到 800 层堆叠时则会高达 6.25Tbit，是现在的 6 倍多。而若以当前 SSD 固态硬盘的容量计算，目前最大容量约在 15 到 16TB 左右。而依照 6 倍核心容量的成长幅度来计算，未来 SSD 容量可达 200TB 左右，这个容量要比当前的 HDD 还要更大。
(首图来源：SK 海力士)
