韩国内存大厂 SK 海力士 25 日公布 2019 年第 2 季的获利状况，因为受到内存价格持续低迷，以及美中贸易战与日韩贸易摩擦等因素的冲击，净获利较 2018 年同期大降了 88% 之多，使得 SK 海力士不得不继三星传出要延后平泽 P2 内存产线的投资之后，也宣布该公司的生产调整计划，连带带动 25 日台湾内存股票的股价上扬。
根据 SK 海力士所公布的资料显示，2019 年第 2 季的营收为 6.5 兆韩圜，较 2019 年下滑 38%。营业利益则是来到 6,380 亿韩圜，较 2018 年同期大幅下滑了 89%。净利则是来到 5,370 亿韩圜，较 2018 年同期的 4.3 兆韩圜大跌了 88%，也低于市场原本预估的 8,280 亿韩圜的金额。
面对 2019 年第 2 季缴出难看的成绩单，再加上接下来市场有更多不确定因素围绕之下，SK 海力士也宣布，2020 年的资本支出将会明显低于 2019年。除此之外，在 DRAM 产能部分，将自 2019 年第 4 季开始下调，至于 NAND FLASH 闪存方面，产能的减幅也会从之前宣布的 10%，扩大至 15% 的比率。而 SK 海力士的调整产能计划，也将连带的重新审视韩国两座晶圆厂的扩产时间。
SK 海力士表示，在 DRAM 方面，由于 SK 海力士积极的因应行动和 PC 市场对大容量产品日益增加的需求，DRAM bit 出货较上季增加了 13%，但是在市场价格持续疲软的情况之下，平均销售价格下降了 24%。另外，受到美中贸易争端的影响，2019 下半年服务器 DRAM 需求依然低迷，行动型 DRAM 市场的不确定性增加。然而，PC 对图形 DRAM 的需求从 2019 年第 2 季末开始恢复，预计这种趋势将延续到下半年。
而在 NAND FLASH 闪存方面，因为 NAND FLASH 闪存价格下跌后，刺激需求复苏，bit 出货量较第 1 季成长 40%，但平均销售价格下降了 25%。预计到 2019 下半年，随着市场需求的复苏，将加快原厂库存消耗，有助于平衡供需失衡的市况，同时也将减缓价格下滑的速度。
至于，在内存的技术发展上，SK 海力士指出，计划继续开发下一代技术，并大量销售高附加值的产品。其中，DRAM 将由 10 奈米级第一代的 1x 奈米，向第二代的 1y 奈米技术精进，到 2019 年底前生产比例将增加到 80%，并开始在下半年销售 PC 市场所需的 10 奈米级第二代 1y 奈米 DRAM。而 NAND Flash 方面，目前主要技术是 72 层堆叠的 3D NAND Flash，计划在 2019 下半年透过增加 96 层 4D NAND FLASH 的比例，专注于高阶智能手机和 SSD 市场需求。此外，128GB（1Tb）TLC 4D NAND 将开始大规模生产和销售。
而随着 2019 年财报的公布，25 日 SK 海力士股价收盘来到每股 79,200 韩圜的价位，上涨 1,600 韩圜，涨幅为 2.06%。而因为受惠于 SK 海力士接下兰时间的减产计划，国内内存厂商股价纷纷反映此利多消息。其中，南亚科股价收盘来到每股 76.5 元的价位，上涨 4.7 元，旺宏则是来到 32.4 元，上涨 1.85 元，华邦电也来到 18.5 元的价位，上涨 1 元。
(首图来源:Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0)
