摩根士丹利（大摩）高喊内存业触顶，宣布调降台积电、三星电子、Western Digital 评等，半导体类股一片惨绿。不过其他外资出面喊话，认为内存走弱可能是季节趋势、或摩尔法则导致，也许无须过于悲观。
CNBC、霸荣（Barron’s）报导（文一、文二），大摩表示，近期内 NAND 价格压力将增，逻辑芯片的成长动能也会放缓，他们对全球内存前景抱持负面看法，判断已经来到顶部。分析以往的半导体周期，投资人应该在内存价格触顶前 3~6 个月，卖出芯片股。Flash 内存价格已经开始下滑，估计明年第一季起，NAND Flash 价格每季将跌 7~15%，DRAM 价格则会在明年年中触顶。
大摩喊话引发市场大震荡，Semiconductor Advisors 分析师 Robert Maire 表示，究竟内存走软是正常的季节趋势，抑或代表当前的多头周期触顶？由于第一季是芯片淡季，确切答案要到 Q1 季末才会知道。届时淡季步入尾声，芯片需求将提高，才能确知是否为长期成长周期中的正常季节趋势。Maire 指出，他们还没举白旗放弃，但是会抱持更谨慎态度。
Stifel Nicolaus 的 Kevin Cassidy 看法更为乐观，他判断 NAND Flash 价格下跌，是由于业者由 2D 转向 3D，每位元成本下滑，压低价格。Cassidy 看好美光（Micron），指出和他们的预估模型相比，11 月当季的 NAND 价格为符合预期或优于预期。NAND 需求具有价格弹性，均价降低将拉抬需求。
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