韩厂独霸内存市场，美国业者不甘落后，计划绝地反攻，继英特尔（Intel）和美光（Micron）之后，惠普（HP）也宣布和 SanDisk 合作研发“可变电阻式内存”（ReRAM）科技。新技术可取代 DRAM，速度并是 NAND Flash 的 1 千倍。
Computerworld、霸荣（Barronˋs）财经网站报导，惠普和 SanDisk 8 日宣布长期结盟，将结合惠普的记忆电阻（Memristor）和 SanDisk 的 ReRAM 技术，开发内存导向运算的新企业解决方案。两家公司宣称，新技术的速度和耐受度为 Flash 的 1 千倍，成本、用电量、密度也优于 DRAM，将可解决社群媒体、保全、行动运算、海量资料、云端、物联网的庞大数据汇流需求。
Susquehanna Financial Group 的 Mehdi Hosseini 报告预估，ReRAM 可能是继 3D NAND 之后的新技术，或许会在 2020 年渐成气候，近期内不大可能成真。惠普和 SanDisk 砸下重金研发，ReRAM 科技将有大幅进展。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Flickr/Uwe Hermann CC BY 2.0）
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