相较于硅晶太阳能，砷化镓等三五族（III-V）族化合物半导体太阳能成本高，纵使转换效率表现不错，仍无法成为光电市场主流，不过最近美国与韩国科学家联手合作，研发全新砷化镓薄膜制造方法，说不定可以让三五族太阳能价格更加亲民。
三五族半导体太阳能顾名思义，是由元素周期表中三族的铝、镓、铟及五族氮、磷、砷等元素所构成，通常这些材料都具有优异的光电转换特性以及电子传输特性，常用在照明、光电产业与通讯技术。
在太阳能领域中，三五族半导体也是佼佼者，最高转换效率更已突破 43.5%，只可惜价格相当高昂，不适合用在住宅太阳能或是公用事业电厂，并不被大众所知，它们大多只会出现在航太与无人机等，对效能与轻便性更为注重的领域。
但为什么三五族太阳能会那么贵呢？通常在该技术中，科学家得花费大量时间与成本在晶体生长，基板与磊晶技术占整体成本 30%，而现在美国国家再生能源实验室（NREL）与韩国科学技术院（KAIST）研发全新的砷化镓太阳能电池磊晶技术：germanium-on-nothing（GON），想要依靠锗金属来降低成本。
（Source：NREL）
GON 这名称大概是从 Silicon-on-nothing（SON）变化而来，科学家透过制造气洞与气隙让硅薄膜跟其它层分离，而 NREL 与 KAIST 目标也是如此，GON 工艺还能制造出圆型与长条型的气洞。根据团队在《journal》发表的论文，团队首先将锗晶圆打造成多孔结构，再透过氢气退火（Annealing）对锗基板进行重组，之后便能在锗基板上生长砷化镓电池。
目前团队也研制出转换效率达 14.44% 的砷化镓太阳能电池，NREL 高效率晶体光电部资深科学家 David Young 表示，团队已证明 GON 工艺不会让锗基板产生许多缺陷，表面非常光滑，可以生长出高品质的砷化镓，未来最佳化工艺后，可以将转换效率提高至 20% 以上。
除此之外，锗基板跟砷化镓电池分离后，还可以重新回到制程中，这样一来就可以节省不少材料与制造费用，只不过团队没有公布锗基板的使用寿命，也不知到底能省下多少成本，仅表示新工艺可以实现成本效益比高、大规模的三五族太阳能制造愿景。
- Nothing can bring down the price of III-V solar cells – just add germanium
- ‘Nothing’ Technology Creates Less-Expensive Thin-Film Solar Cells
（首图为示意图，来源：pixabay）
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