日本内存大场东芝内存（Toshiba Memory Corporation）与威腾电子（Western Digital）于 19 日宣布，共同在日本三重县四日市的 6 号晶圆厂（Fab 6）举行开幕仪式。该厂为新设先进半导体制造厂区，并设有内存研发中心（Memory R&D Center）。
东芝内存是自 2017 年 2 月开始兴建 6 号晶圆厂，为生产 3D NAND Flash 闪存的专用生产厂区。东芝内存与威腾电子已针对沉积（deposition）与蚀刻（etching）等关键生产制程开始部署先进制造设备，新厂已经在 9 月初开始量产新一代 96 层 3D NAND Flash。
有鉴于 3D NAND Flash 在企业服务器、资料中心及智能手机的需求不断成长，未来几年这些需求将持续扩大的情况下，为因应此市场趋势，未来可望进一步投资扩大产能。而且，与 6 号晶圆厂相毗邻的内存研发中心，也已经于 2018 年 3 月开始营运，负责研发及推动 3D NAND Flash 的发展工作。
东芝内存进一步指出，将与威腾电子持续推动并扩展双方在内存事业的市场领导地位，积极开发各项计划以强化竞争力，推动 3D NAND Flash 的共同开发，并根据市场趋势规划资本的投入。对此，东芝内存社长暨首席执行官成毛康雄（Yasuo Naruke）表示，东芝内存很高兴有这个机会能为新一代的 3D NAND Flash 开拓更广阔的市场。而 6 号晶圆厂和内存研发中心能让东芝内存在 3D NAND Flash 市场中维持领先地位，而且相信与威腾电子的合资事业，将能协助四日市的工厂继续生产市场上最先进的内存。
威腾电子的首席执行官 Steve Milligan 也同时指出，很荣幸能与威腾电子的重要合作伙伴──东芝内存一起为 6 号晶圆厂和内存研发中心揭开序幕。近 20 年来，两家公司合作无间，带动了 NAND Flash 技术的成长和创新。此外，目前也正积极提升 96 层 3D NAND Flash 的产能，以因应从消费性、行动应用到云端资料中心等终端市场的各式商机，且 6 号晶圆厂具备先进技术设备，将进一步提升东芝记忆与威腾电子在业界技术领先和成本领导的地位。
（首图来源：东芝）
