半导体产业龙头英特尔 20 日宣布与大连政府配合，将原先以 65 奈米制程生产处理器芯片的中国大连厂，转型为生产最新的 3D-NAND Flash 芯片，总投资金额高达 55 亿美元，预计于明年下半年开始量产。根据 TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 最新公布数据，2015 年整体中国市场 NAND Flash 总消耗量换算产值高达 66.7 亿美元，占全球产值 29.1%，明年更可望达到全球 NAND Flash 产量的三分之一，成长幅度十分惊人。
DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，英特尔大连厂在 2010 年完工，原先规划以 12 吋晶圆搭配 65 奈米制程来生产中央处理器为主，但经营绩效不如预期。此次转型生产最先进的 3D-NAND Flash，除了可以提升大连厂的生产绩效外，也可望搭上中国内存消耗量起飞的快速成长期，以及最重要的配合中国政府积极投入内存产业的大趋势，可谓双赢布局。
根据英特尔投资金额与大连厂的产能建置来评估，DRAMeXchange 初步预估每个月至少可布建 30,000-40,000 片的 3D-NAND Flash。英特尔在与美光共同开发 3D-NAND Flash 以及 3D XPoint 等战略合作关系更加紧密的情况下，新增的大连厂 3D-NAND Flash 产能将提供美光英特尔阵营更有弹性的产能规划，来满足高成长的固态硬盘需求。
杨文得进一步表示，NAND Flash 市场在今年第四季到明年第一季供过于求的格局将不会产生变化，但在 NAND Flash 产业低档时刻，中国政府仍积极加速推动中国本土 NAND Flash 与 SSD 供应链的布建（中国模组大厂江波龙与主控芯片厂 Marvell 战略合作、武汉新芯持续加速 3D-NAND Flash 的开发等），并加强透过与国际 NAND Flash 大厂合作的串联契机（三星西安厂 3D-NAND Flash 产能明年可望提升每个月 10 万片的水准），预期未来英特尔大连厂明年下半年完工后，中国 NAND Flash 市场将更为百花齐放。
（首图来源：美光）
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