全球内存龙头厂三星 10 日宣布，正式量产堆叠数高达 90 层的第 5 代 V-NAND 闪存。此产品不但堆叠数为目前最高，且还首发 Toggle DDR 4.0 传输界面，使传输速率达到 1.4Gbps。
三星 V-NAND 是 3D NAND 闪存其中一种。目前市场主力还是堆叠数 64 层的第 4 代 V-NAND 闪存。三星宣布正式量产的是第 5 代 V-NAND 闪存，核心容量 256Gb 并不算高，但各项性能指标缺不能小觑。它是业界首发支援 Toggle DDR 4.0 传输界面的 V-NAND 闪存，传送速率达到 1.4Gbps，相较过去 64 层堆叠的 V-NAND 闪存来说，足足提升了 40%。
除了采用新的传输界面提升速率，第 5 代 V-NAND 闪存的性能、功耗也进一步优化。工作电压从 1.8V 降至 1.2V，写入速度也是目前最快的 500us，比上一代 V-NAND 闪存提升了 30%。读取速率的回应时间也缩短到 50us。
三星第 5 代 V-NAND 闪存内部堆叠超过 90 层 CTF Cell 单元，是目前市面堆叠层数最高的 3D NAND TLC 架构闪存。这些储存单元透过微管道孔洞连接，每个孔洞只有几百奈米宽，总计包含超过 850 亿个 CTF单元，每个单元可以储存 3 位元资料。
此外，第 5 代 V-NAND 闪存在制程技术也有改进，制造生产效率提升了 30%。借由先进制程技术，使每个闪存单元的高度降低了 20%，减少单位之间干扰的发生率，提高资料处理的效率。三星目前正加强第 5 代 V-NAND 闪存量产，以便满足高密度储存领域，包括高效能运算、企业服务器及行动装置市场的需求。
除了第 5 代 V-NAND 闪存量产，三星目前还在扩展 V-NAND 闪存，准备推出核心容量高达 1Tb 的 NAND 闪存，及 QLC 架构的闪存产品，继续推动下一代闪存发展。
（首图来源：三星）
