随着台积电宣布全世界第一个 3 奈米制程建厂计划落脚台湾南科后，10 奈米以下个位数制程技术的竞争正式进入白热化。台积电对手三星 29 日也宣布，开始导入 11 奈米 FinFET，预计 2018 年正式投产，也宣布将在新一代 7 奈米制程全面采用 EUV 极紫外线光刻设备。
根据三星表示，11 奈米 FinFET 制程技术“11LPP”（Low Power Plus）是现今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL（后端制程），可大大缩小芯片面积，另一方面，也沿用 14 奈米 LPP 制程的部分元素。未来，三星 11LPP 制程技术将填补 14 奈米与 10 奈米制程间的空白，号称可在同等晶体管数量和功耗下，比 14LPP 制程技术提升 15% 性能，或降低 10% 功耗。另外，还可使晶体管的密度提升。
三星 2016 年 10 月开始投产 10 奈米制程技术“10LPE”（0nm Low Power Early）。目前已完成研发，达到即将投产的下一代“10LPP”（10nm Low Power Plus）状态，主要可协助生产更高规格的智能手机芯片。三星 14 奈米制程技术部分，将以主流、低功耗和紧致型芯片生产为主。目前，三星在积极开发增加新一代 14LPU、10LPU 制程版本。
三星还表示，未来还准备了 9 奈米、8 奈米、7 奈米、6 奈米、5 奈米制程技术，其中 7 奈米 7LPP 版本将全面加入 EUV 极紫外光刻设备制程，确认在 2018 年下半年试产。不过另有报导表示，在那之前的 2018 年上半年，三星首先会在 8LPP 制程的特定制程开始使用 EUV。
三星指出，2014 年以来，已使用 EUV 技术处理了近 20 万片晶圆，取得丰硕成果。比如 256Mb SRAM 的产品良率已达到 80%。因为三星有晶圆代工，DRAM、NAND Flash 的制造与生产能力，又在内存产品市占率独占鳌头。三星有雄厚的本钱使用 EUV 设备，这也造成其他竞争厂商庞大的成本压力。EUV 价值不菲，要够有效率的应用以增加收入，这对其他内存厂商来说是一件备感压力的事。
（首图来源：三星）
