在历经痛苦的转型与重整后，看来 DRAM 产业已开始渡过其亏损的黑暗期，整体产业的市场寡占态式形式，再加上各式行动装置在市场比重加大等因素下，DRAMeXchange 预估 2014 年 DRAM 市场可望成长 12 ％、稳定获利、制程推进，行动式内存正式跃升全球市场主流规格。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 分析，2013 年绝对是对DRAM产业具关键性的一年。受惠于智能手机与平板电脑的热销，一线 DRAM 大厂纷纷转进行动式内存，导致标准型内存产出逐渐减少；再加上九月SK海力士无锡厂大火让 4GB，模组合约均价由1 7 美元上涨至今 33 美元，涨幅逼近一倍，各DRAM厂朝向全面获利的状态。产业结构改变，寡占市场的格局形成都将为 2014 年 DRAM 产业带来新的契机。
TrendForce 针对 DRAM 产业在 2014 年的表现提出五大市场趋势：
1、2014 年营收预估续成长 12%，为金融风暴后连续第二年成长
回顾2013年，由于 DRAM 产业结构性的改变，如寡占市场的形成，台系 DRAM 厂退出市场，再加上下半年 SK 海力士无锡厂大火影响，2013 年 DRAM 营收规模来到 352 亿美元，年成长达 32.5%。放眼 2014 年，由于进入 20nm 制程后开发难度变高，产出位元年成长趋缓，因此平均销售单价将随成本结构改善而逐步下降；各家 DRAM 厂不再追求制程上的极致，策略转向更灵活调配产品与产能，TrendForce 预估明年的 DRAM 产值将达395亿美元，年成长为 12%，将是自 2009 年金融风暴以来供应商在生产方面最有秩序的一年。
2、2013 年美光正式并购尔必达，2014 年寡占市场将让 DRAM 产业朝向稳定获利格局
美光于 2013 年八月正式整并尔必达后，其合并营收规模与 SK 海力士已在伯仲之间，再加计三星的市占率，三大集团的 DRAM 市占率已超过决定性的 90%，不光市场呈现大者恒大的趋势，也确立 DRAM 市场寡占型态。三大集团各自拥有 DRAM 与 NAND Flash 的技术，对于产品组合将可以更灵活的调配运用，在价格走势上将更倾向稳健的寡占市场格局，持续获利的趋势将延续至 2014 年。
3、行动式内存正式跃升全球市场主流规格，标准型内存比重持续降低
受惠于智能手机与平板电脑的热卖，DRAM 大厂纷纷转进行动式内存领域，标准型内存产出受到排挤而产出逐渐减少。根据 TrendForce 的预估，2014 年行动式内存将占全球市场的 36%，一举超越标准型内存的 30%，跃升成为全球 DRAM 市场主流产品。再者，由行动式内存做观察，2014 年 LPDDR3 的比重将在智能手机与平板电脑快速增加，更将进军高阶 Ultralike 市场，省电机制更优于一般传统 DDR3，使得运作时间大幅延长。受到需求端的牵引，TrendForce 预估 LPDDR3 产出量预计在 2014 年下半年将超越 LPDDR2，成为行动式内存主流规格。
4、2Xnm 制程将成 2014 年 DRAM 市场主力，唯设计难度增高制程转进将趋缓
当时序进入 2013 年下半年，各 DRAM 厂在 2Xnm 制程转进下着实面临不少困难。受到物理条件限制，即使如三星或是 SK 海力士都曾面临到良率无法有效提升或是量产计划递延的窘境。后续进入 25nm 以下制程，由于需要购入 EUV 机台，资本支出将更甚浸润式机台(immersion scanner)。目前EUV机台的开发尚未达到可大量生产的阶段，DRAM 厂对于 25nm 制程以下至今未有明确的时间点规划。TrendForce 预估 2014 年DRAM 厂仍将以 2Xnm 市场主流，但制程转进将因设计难度增高而趋缓。
5、DDR4 将在 2014 年下半年导入，初期将以服务器用内存为主要应用
由于需求端的生态圈大幅改变，加上便携式设备的崛起，内存的应用已不像往年壁垒分明；不光行动式内存进军笔电领域，低价平板也因成本考量使用标准型内存。但在服务器内存领域，除了在稳定性的要求外，近期更着墨于低电压与速度兼顾。根据 JEDEC 的规范蓝图，DDR4 电压值仅有 1.2V，未来速度更可高达 3200Mhz。一线 DRAM 大厂将在 2014 年导入量产，初期将以服务器用内存为主要应用，之后再陆续推广至 PC 市场中，预计于 2015 年取代 DDR3，成为市场主流。
