联电是全球第 3 大晶圆代工厂，过去 1 年，做晶圆代工的联电，却跨界和专做 DRAM（动态随机存取内存）的美国美光公司打起全球诉讼。去年，美光在台湾和美国控告联电侵害美光营业秘密，在台湾已遭起诉；今年初，联电在中国福州，控告美光侵害联电专利，7 月时，中国福州中级法院发出诉中禁令，禁止美光部分产品在中国贩售。你来我往，互不相让。
真正的导火线，是 2016 年联电和中国内存新厂──福建省晋华集成电路公司的一纸文件，指出联电和晋华协议，是由晋华提供 3 亿美元，替联电采购研发设备，再按 DRAM 技术的开发进度支付联电 4 亿美元，但联电必须开发出 32 奈米的 DRAM 相关制程技术。
▲ 福建省晋华集成电路是目前中国 3 个发展 DRAM 技术的团队之一，整个投资案规模超过台币 1,500 亿元。
左右全球 DRAM 产业的大案 联电有机会借此扩大影响力
事实上，2016 年 4 月，经济部投审会就通过了联电和晋华的合作案，由联电在南科研发，再移转到晋华生产；联电如果成功，中国和台湾将首度拥有自制 DRAM 的能力，全球 DRAM 产业的格局将因此改变，联电也能借此扩大在利基型内存市场的影响力，此役可谓非常关键。
但是现在，与美光的诉讼让这起合作案变得极为敏感。中国急于取得 DRAM 的制造能力，合肥睿力、清华紫光和福建晋华三股势力，都争相开发 DRAM 技术。我们好奇，联电在这场大战里，扮演什么样的角色？
8 月 1 日，《财讯》采访团队赴福建晋江，直击正在大兴土木的晋华公司，一探联电机密 DRAM 生产计划的虚实。
车子进入晋江，迎面而来的是大批香蕉园，传统产业才是这里的主流，转入一条小路后，右边赫然出现一栋巨大的晶圆厂；《财讯》造访时，晋华的主建筑物刚刚完成，警卫室的铁门都还没装上，就连一旁的旗杆都是前几天装的。
从外部观察，晋华已经进入装机阶段，因为，门口不时可看到台湾启德的搬运车，这家公司正是专为台湾晶圆厂搬运设备的搬运商；这代表，这座厂不是空壳子，已经在为生产做准备。
另一迹象是，硅品在晋华对面，也圈下一块 44,000 坪的土地，赶工兴建封测厂，很明显的，硅品要赶在晋华一开始生产内存时，就拿下相关的内存封测商机。
▲ 硅品在福建晋华总部对面正拿下 4 万坪土地，赶工兴建封测厂，急着布局晋华未来的内存封测商机。
问题是，联电真能设计出 DRAM 技术吗？《财讯》记者多次要透过联电约访关键人物，联电资深副总经理陈正坤，但被拒绝，他也是现在福建晋华的总经理。
这天中午，《财讯》在晋华门口“堵”到了陈正坤。
陈正坤是台湾瑞晶前总经理，他经营台湾瑞晶时，这家公司是台湾最赚钱的 DRAM 厂，当时，每天下午 5 点，他就带着年轻的工程师在厂区里跑步，这是他激励团队的方式。
▲ 《财讯》在晋华采访到联电资深副总陈正坤，他目前也兼任晋华总经理。
关键人物陈正坤现身》 晋华准备试产，赶工布建产能
“陈总，来这里还跑吗？”《财讯》记者问陈正坤，跟着他走进晋华的大楼门厅，“快要开始了”，陈正坤笑，我们走进晋华的大门，门厅里晋华的标志才刚刚贴上，陈正坤说，“这里的规模应该有瑞晶的 3 到 5 倍”。规划是，要让产能先到位，只要试产没问题，随时就能进入量产！但，联电做 DRAM 良率如何？陈正坤低调回应，“我们已经有良率”，意思是，已经能成功制造产品，只待进一步修正，提高良率。联电 DRAM 量产，在技术上已有重大突破。
陈正坤透露，联电研发 DRAM 的研发生产线早已在台湾南科运转，联电调集 200-300 名研发工程师进行实验，“我们做研发，兢兢业业，不敢松懈！”他自信地说。
外传联电拥有晋华股份，问到这里，陈正坤急忙否认，“这里都是福建的”，陈正坤虽然挂晋华总经理，但他其实是从联电借调到晋华，提供晶圆厂设计服务，让联电设计出的 DRAM 技术，能搭配适当的生产设备生产。而且，盖厂要负担沉重的成本，根据《纽约时报》报导，这座厂要价 57 亿美元。只设计，不投资，对联电目前的财务状况来说，负担才不会太沉重。
福建有可能成为中国第一个量产 DRAM 的地方，问题是，台湾过去也从没在 DRAM 上取得自主开发的技术，怎么突然在 1 年半时间，研发出自主的量产技术？
《财讯》采访多位半导体产业人士，得到的结论是，内存设计和制造其实不像外界想得那么困难，“但绕过 3 家大厂的专利保护网才困难”。过去，DRAM 生产比的是速度，谁能用半导体微缩技术，开发出新一代的内存，就能在同样一片晶圆上，生产出更多、成本更低的内存，而且更省电，因此，在制程竞赛中落后的厂商，就会因为缺乏成本竞争力被迫退出赛局。但近几年，由于半导体微缩制程已近物理极限，内存线路微缩的速度也在放缓，这一点对新加入竞争的厂商有利。
试图绕过 3 家大厂专利保护网》 晋华给联电极大优惠，双方各拥技术权
根据《财讯》调查，目前联电高层认为，DRAM 技术里，device（器件）的设计，相当于逻辑制程的 65 奈米，“这对我们很简单”，真正难的是 module（模组）的设计，“大约是 14 奈米制程，比较难，关卡在 module 技术”。
联电已建立起 DRAM 研发能力，并规划出不只一个世代的产品，虽然第一代从较成熟的 35 奈米开始，但未来有能力自己研发出使用 1X 制程的产品。“DRAM 微缩的速度在放慢，”一位业界人士观察，联电如果能从 25 奈米切入，就能做出各式各样的嵌入式产品，拥有巨大的商业价值，“但联电对做一般 DRAM 没有兴趣，是为了发展代工用的嵌入式内存技术才加入合作案”。
关键在于，联电现在改变策略，要专注发展与台积电不一样的制程和服务，嵌入式系统用的内存技术对联电未来发展十分重要，这项技术可以用在资料中心、高速运算、物联网等领域，台积电也积极投入研发。
投入 DRAM 的另一个关键是，晋华给了联电极为优惠的条件。
福建晋华拿出 3 亿美元资金，替联电买专用设备，放在南科联电 12A 厂做研发，如果做出这项技术，晋华还会再按进度，拿出 4 亿美元给联电，最重要的是，联电将和晋华共同拥有这项技术的所有权。为了把技术留在台湾，联电因此把研发基地设在南科。这项技术合作案也通过投审会审查。
其中最重要的限制条件则是，“不能授权中国其他省分使用这项技术；但中国之外，联电能自由使用这项技术。”联电等于不用付钱，就有机会取得内存技术。
这项计划早已布局多年，在马政府时代，曾有两岸共同研发 DRAM 技术的构想，中国方面也一直积极在全世界找合作对象。当初福建省有意与尔必达前首席执行官阪本幸雄合作，联电原本只是想在阪本幸雄的旁边盖厂，共同采购设备，降低成本。
阪本幸雄最后“劈腿”，改与合肥合作，“新娘”跑了，福建官方就找上“媒人”，与联电商议，“不如由联电来做”，整个计划前后布局至少 4、5 年。联电是意外参与这个计划。
过去几年，大部分人只注意到晶圆代工之王──台积电的动向，却没注意，联电开始把过去累积的半导体技术实力，拿到新的市场上“变现”。联电如果成功，中国和台湾将有自制 DRAM 的能力，惟联电的新策略能否成功，除了攻克技术难关，能不能打赢法律战，才是接下来最重要的关键。
▲ 联电把 DRAM 技术设计中心放在南科 12A 厂，图为设计中心所在大楼。
（本文由 财讯 授权转载；首图为晋华总部现场）
