5G、AI 人工智能正在驱动半导体产业成长趋势，随着芯片体积愈来愈小，高速、高效能的磁性内存（MRAM）技术已成为主流。近日工研院与美国加州大学洛杉矶分校（UCLA）合作开发“电压控制式磁性内存（VC-MRAM）”，可望减少近百倍能耗、提升逾十倍速度。
为研发更快、更稳、不失忆的新世代内存，工研院多年前就开始深耕磁性内存（Magnetic Random Access Memory，MRAM）技术，陆续投入自旋霍尔式磁性内存（Spin Orbit Torque MRAM，SOT-MRAM）等研究，成功开发出先进磁性内存，相关成果也逐步落地产业。
如今这些研发基础吸引了 UCLA 与工研院合作，开发电压控制式磁性内存（Voltage Control Magnetic RAM，VC-MRAM）。与 SOT MRAM 相比，VC-MRAM 具有更快的写入速度（缩短 50%）、读写能耗更低（减少 75%）等特性，非常适合 AIoT 及汽车芯片应用需求。
工研院电光系统所所长吴志毅指出，随着 AI 人工智能、5G 时代来临，快速处理大量资料的需求暴增，半导体业者开始寻求成本更佳、速度更快、效能更好的解决方案。由于 MRAM 拥有与静态随机存取内存（Static Random Access Memory，SRAM）相当的写入、读取速度，还兼具节能特色，近年来已成为半导体先进制程、下世代内存与运算新星。
随着 VC-MRAM 技术加强，工研院希望推进相关材料元件，2023 年初能展现世界顶尖技术，带来下世代内存里程碑。
（首图来源：工研院）
