晶圆代工厂格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）27 日发表新一代用于无线及物联网芯片组的射频／类比制程设计套件（PDK）22FDX-rfa 制程解决方案，以及适用 5G、汽车雷达、WiGig、SatComm 及无线移动网络回传的毫米波制程设计套件的 22FDX-mmWave 制程解决方案，两者都可协助相关 IC 企业进行相类似产品设计与生产时，达到最高的产品效能。
格罗方德表示，两款解决方案皆以 22 奈米 FD-SOI 制程平台为基础，结合了高效能射频、毫米波及高密度数位特性，能为整合式单芯片系统解决方案提供强大支援。此技术在高电流密度及低电流密度下均能拥有最高的 fT（电流增益截止频率）和 fmax（最大振荡截止频率）特性，适合需要尖端效能和电源效率的应用，例如 LTE-A、NB-IOT 和 5G 无线收发器、GPS Wi-Fi 及 WiGig 复合芯片、多种搭载整合式 eMRAM 的物联网与汽车雷达应用。
格罗方德指出，由于客户不断挑战智慧连网装置的功能极限，格罗方德希望透过推出新 FDX 系列差异化产品，进而突破智慧连网装置的限制。快速演进的行动及物联网主流市场需要射频及类比领域的不断创新。
格罗方德 CMOS 业务部门资深副总裁 Gregg Bartlett 表示，22FDX-rfa 制程解决方案整合出色的射频及类比功能，有助于提供具差异化特性的行动及物联网产品，并能完美平衡功耗、效能及成本。另外，针对新兴的毫米波市场，22FDX-mmWave 制程解决方案则提供业界前所未有的效能，造就差异化的相位阵列波束成形，以及其他毫米波系统解决方案，同时具备最低功耗以及最高水准的效能以及整合度。
目前格罗方德的的 22FDX 射频以及毫米波技术产品经过最佳化处理，能够整合高效能天线交换器和功率放大器，适合单一系统单芯片 NB IoT 和 5G 毫米波波束成形相位阵列系统等先进连线应用。
另外，22FDX-rfa 做为 FinFET 类技术以外的方案，不仅提供整合前端模组元件的功能，更具备较低热噪声特性。而且其自增益放大效能与 FinFET 技术相当，而与 bulk CMOS 相比，则具有高达至少两倍的自增益效能。与 FinFET 技术相比，FD-SOI 技术基础的固有特性能进一步减少将近三成的浸润式微影层，却能取得更为优异的射频效能。
据了解，格罗方德现已提供进阶射频及类比、毫米波以及嵌入式非挥发式内存解决方案的流程设计套件，并能立即提供客户原型设计。
（首图来源：GLOBALFOUNDRIES）
