根据 TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）指出，2017 年 NAND Flash 产业需求受智能手机搭载容量与服务器需求的带动，加上供给面受到制程转进进度不如预期的影响下，供不应求的状况自 2016 年第 3 季起已持续六季；2018 年 NAND Flash 供给将增加 42.9%，需求端将成长 37.7%，整体供需状况将由 2017 年的供不应求转为供需平衡。
DRAMeXchange 资深研究经理陈玠玮指出，从 NAND Flash 的供给面来看，因为 NAND 制程从 2D 转进 3D 不如预期，导致 2017 年非三星阵营的新增产能没有 100% 完善利用，再加上转换期间带来的产能损失，让 2017 年市场呈现整体供不应求的状态，2018 年随着非三星阵营供应商在 64 / 72 层 3D-NAND 制程成熟后，整体 NAND Flash 产业供给量年成长率预估将达 42.9%。
然而，观察 2018 年需求面状况，在第 1 季淡季影响下，智能手机、PC、平板电脑等出货量预期将比 2017 年第 4 季来得明显下滑，综观供给与需求面状况，2018 年 NAND Flash 市场将从供不应求转为供需平衡。
2018 年全球 3D-NAND 产出占比逾七成，三星技术与规模领先群雄
2017 年在非三星阵营 3D-NAND 制程转换不顺的影响下，3D-NAND 产出占 NAND Flash 整体产业比重约 50%，2018 年随着 SK 海力士、东芝／威腾、美光／英特尔阵营的 3D-NAND 比重都提升的情况下，2018 年 3D-NAND 的产出占比将突破 70% 大关。
从各厂制程进度来看，三星 64 层 3D-NAND 自今年第 3 季已进入量产阶段且今年第 4 季 3D 产能比重将突破 50%，明年将提升到 60%~70% 水准。SK 海力士今年第 4 季 3D-NAND 产能占比约为总产能的 20%~30% 水准，以 48 层 3D-NAND 为主，但明年将会专注于扩充 72 层 3D-NAND 产能，3D-NAND 产能比重在 2018 年第四季也会来到 40%~50%。
东芝／威腾阵营今年上半年主流制程为 48 层 3D-NAND，预期今年第 4 季 3D-NAND 的占比将会占东芝／威腾阵营整体产能约 30% 水准，2018 年第 4 季目标突破 50%。在产能规划上，新的半导体厂房 Fab6 在 2017 年 3 月已开始动工兴建， 预计 2019 年才会开始量产最新 3D-NAND 产品。值得注意的是，由于东芝与威腾电子目前对于新厂的合作态度与先前不同，所以日后可能仍有变数。
美光／英特尔阵营今年上半年 32 层 3D-NAND 产出已有稳定的经济规模，并在今年第 3 季起开始量产 64 层 3D-NAND，目前良率已达量产水准，今年第 4 季 3D-NAND 产能比重有机会到 40%~50%。2018 年随着英特尔将扩充中国大连厂第二期产能，其 3D-NAND 比重将于明年第 4 季提升到 60%~70% 水准。
（首图来源：shutterstock）
