根据 TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）调查显示，2018 年第二季由于供给吃紧情况延续，带动整体 DRAM 报价走扬，DRAM 总营收较上季成长 11.3%，再创新高。除了绘图用内存（graphic DRAM）仍受惠于虚拟挖矿（cryptocurrency）需求的增温，带动价格有 15% 显著上涨外，其余各应用别的内存季涨幅约在 3% 左右。
展望第三季价格走势，DRAMeXchange 指出，PC-OEM 厂已陆续在 7 月份议定合约价格。就一线大厂订价来看，均价已来到 34.5 美元，较前一季上涨约 1.5%，涨幅已大幅收敛。从市场面观察，在需求端成长有限、供给端产能集中在下半年开出，加上现货价持续走跌的趋势下，预估第四季合约价恐难再有显著涨幅，亦显示整体 DRAM 价格的峰值（peak）已经到来。
观察全球 DRAM 大厂营收表现，三星稳坐产业龙头，营收再创历史新高，来到 112.1 亿美元，季增 8.2%；SK 海力士受惠于位元成长显著，营收较前季大幅成长 19.5%，达 76.9 亿美元，亦帮助 SK 海力士于第二季夺回部分市占。两大韩厂第二季营收市占率分别为 43.6% 与 29.9%，合计约 73.5%。
美光集团仍旧维持第三，亦持续扮演价格领先者（price leader），报价上涨幅度最高。然而因先前氮气事件，美光第二季位元出货仅与前一季相当，营收季增 6.3% 至 55.4 亿美元，增幅相对较小，市占率较前一季下滑 1 个百分点，来到 21.6%。
观察原厂获利能力，三星的涨价幅度在三大厂中最小，除了因第一季基期较高，亦显示先前中国反垄断调查无形中已带给三星压力。此外，因其 1Ynm 目前仅在客户验证，可能要到第三季中旬才能放量，因此第二季营业利益率维持在 69%。反观另外两厂，持续受到价格上涨与制程微缩所带来的成本效益，SK 海力士营业利益率从第一季的 61% 提升至 63%，美光营业利益率则从 58% 拉升至 60%，为首次三大原厂营业利益率皆突破 6 成水准。
然而，展望下半年，除了供给端产能逐渐开出、各厂 1X / 1Ynm 比重逐步提高外，三星报价模式也转趋保守，皆暗示报价上涨的难度增加。此外，目前三大厂生产 DRAM 的平均毛利率已突破 7 成，已带给买方巨大的 BOM cost 压力，亦显示出原厂的获利能力可能已近高点。
由技术面观察，三星今年除了维持 1Xnm 制程高产出比重外，部分 Line 17 扩产以及即将投入的平泽厂 2 楼 DRAM 产能，将继续往下一代 1Ynm 制程转进。随着平泽厂产能扩增，预期 1X + 1Ynm 产出比重在今年底合计将达 70%，并于 2019 年持续提升。SK 海力士已于去年底导入 1Xnm 的生产，然而进入 1Xnm 世代制程难度高，SK 海力士目前仍致力于提升良率，扩厂计划则维持不变，中国无锡新建的第二座 12 吋厂将于今年底前完工，2019 上半年开始贡献产出。而美光方面，台湾美光内存（原瑞晶）1Xnm 已完成 100% 转换，并将于明年直接转往 1Znm，而台湾美光晶圆科技（原华亚科）则于第二季开始进行 20nm往 1 Xnm 的转换，预计今年底将可望有半数产能转往 1Xnm 生产，并于明年上半年全数导入。
台系厂商部分，南亚科第二季营收季增高达 28.6%，除了归功于 20nm 带来明显的位元成长和价格持续走扬外，第二季开始出清第一季的 DDR3 高库存亦是一大重点。20nm 的成本效益更带动营业利益率来到 46.8%，较上季成长 2.5 个百分点。然而，由于 DRAM 报价上涨不易，加上要开始摊提扩厂的折旧费用，南亚科未来的获利能力恐受压缩。
力晶科技方面，由于替晶豪科、爱普等 IC 设计业者代工的比重提高，力晶本身 DRAM 营收较上季下滑 13.5%；华邦方面 DRAM 营收季成长 8.7%，主要受惠于 38nm 比重持续提高。
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