针对美国司法部日前以商业间谍的罪名起诉包括中国福建晋华、台湾联电、以及 3 名台湾籍个人的做法，联电 9 日深夜发出相关声明表示，联电的技术先进，并且拥有自行研发的相关技术，而与中国福建晋华的合作纯属商业的考量，且当时也还未有中美贸易战争的事情发生。因此，对于该事件联电将会积极的自我防卫。
联电在声明中指出，联华电子是国际公认、台湾起家的半导体公司。38 年来，在全球的供应链上，已经成为不可或缺的一员，先进量产技术达 14 奈米。对比之下，美光公司争执所涉及的 DRAM 技术，是 32 奈米，在联华电子的计划启动当时，已经是落后几个世代的技术。
而社会上有一个错误的印象，认为联华电子没有任何 DRAM 的知识或经验，这不是事实，而且是极端的不实。从 1996 年到 2010 年，联华电子积累了近 15 年制造 DRAM 产品的经验。甚至在某个时间点上，联华电子内部 DRAM 团队人数，超过 150 人。联华电子是一个有组织的企业机构，借由坚实而稳定的团队，掌握并保存了丰富的 DRAM 知识和经验。
举个例子来说，现任联华电子共同总经理之一的简山杰，是 1996 年时开发 DRAM 产品的 RAM 制程开发经理。另一个实例则是: Alliance 公司是 1996 年第一个获得联华电子公司授权合作 DRAM 伙伴之一，该公司是一家总部位于美国的 DRAM 芯片设计公司，借由联华电子的技术进行 DRAM 制造。除了传统的 DRAM 技术外，2009 年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式 DRAM 制程技术，这比制造标准型 DRAM 的过程要复杂得多。
另外，联华电子同意与晋华公司联合开发 DRAM 制程，这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目，在做成决策当时，只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易，已经向台湾政府正式提出申请，主管机关亦已于 2016 年 4 月核准整个项目。值得一提的是，那时还未听说有中美贸易战。
至于，自从联华电子开始为晋华公司开发 DRAM 制程技术，履行合约义务，联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个专案的研发团队成员接近 300 人，但只有不到 10% 的人曾在美光公司工作过。
相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象，联华电子的 DRAM 技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计。简而言之，联华电子开发的记忆胞架构是 3×2 布局的储存单元，这与美光公司的 2×3 布局的储存单元是完全不同的。
另一个错误的印象是美光公司在美国开发了 25 奈米的 DRAM 技术。事实是，美光公司在 2010 年初，购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的 25 奈米 DRAM 技术。
联华电子不要 “在报刊上” 进行这场诉讼，但联华电子要向我们的客户和投资人保证，联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。
(首图来源:科技新报摄)
