日刊工业新闻 9 月 30 日报导，全球第二大 NAND 型闪存（Flash Memory）厂商“东芝内存 Holdings”（Toshiba Memory Holdings）将在旗下四日市工厂兴建最先端的 3D NAND Flash 新厂房，预估新厂房将在 2020 年 12 月动工、2022 年夏天完工，总投资额预估达 3,000 亿日圆，目标是借此在先端领域超越韩国三星电子。
东芝内存将自 10 月 1 日起正式把公司名称变更为“铠侠”（Kioxia）。
报导指出，东芝内存计划在四日市工厂内兴建生产次世代 3D NAND Flash 的“第七厂房”，公司内部已成立企画团队进行详细评估，且今后 IPO 筹得的资金部分也将充当投资资金，且预估也将和合作伙伴美国 Western Digital（WD）分担投资。
据报导，东芝内存原先计划在 2019 年内 IPO，不过因内存市况恶化，因此 IPO 时间将推延约一年至 2020 年 9 月。
根据 IHS Markit 指出，2018 年三星于 NAND Flash 市场的市占率（以金额换算）达 38.4% 稳居首位，其次分别为东芝内存的 17.6%、WD 的 13.9%、SK Hynix 的 11.1% 和美光（Micron）的 10.6%。
东芝于 2018 年 6 月将东芝内存独立出去，并卖给由美国贝恩资本主导的“日美韩联盟”。东芝目前仍持有东芝内存 40.2% 股权。
东芝内存目前已和 WD 携手兴建位于日本岩手县的北上工厂第一厂房 K1。K1 将生产用于资料中心、智能手机及自动驾驶等，需求预估将扩大的 3D NAND Flash 产品，预计 2019 年秋天完工，且将借由和 WD 携手投资，于 2020 年开始生产堆叠 96 层制程技术的 3D NAND Flash 产品。
根据东芝内存 8 月 8 日公布的财报资料显示，因内存市况低迷，加上因 6 月 15 日发生停电，导致旗下 NAND Flash 主要生产据点“四日市工厂”部分产线停止生产，拖累 2019 年度第一季（2019 年 4~6 月）合并营收较前一季（2018 年 10~12 月）大减 13% 至 2,142 亿日圆，合并营损额自前一季的 284 亿日圆大幅恶化至 989 亿日圆，合并净损额也自前一季 193 亿日圆大幅恶化至 952 亿日圆。
东芝内存表示，因停电影响而停工的设备 7 月中旬前几乎全数复工，不过预估第二季（2019 年 7~9 月）的业绩仍会受影响。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：东芝内存）
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