三星看好半导体景气持续往上走，2 日宣布未来 4 年将砸下逾 20 兆韩圜，或相当于 190 亿美元投资旗下半导体事业。
三星两年前耗资 15.6 兆韩圜在韩国平泽市打造新内存厂，新厂当日才刚正式投产，三星已计划 2021 年内再额外投入 14.4 兆韩圜（约 125 亿美元）扩厂。（美联社）
三星还计划投资位于华城的内存园区 6 兆韩圜。与此同时，三星也考虑增加中国西安半导体厂的产能。
IHS Markit 数据显示，2017 年全球 DRAM 产值跳增 72%，来到 722 亿美元，2018 年预估将进一步扩增至 844 亿美元，年增率达 16.9%。（Koreaherald.com）
NAND 闪存 2017 年成长 46.2%、成为 538 亿美元，今年预估扩增至 592 亿美元。产业资讯显示，3D NAND 闪存占三星闪存出货比重，2017 年第四季已超过八成，今年底预估将超越九成。（businesskorea.com）
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