不论是 DRAM 或 NAND Flash，现有的内存解决方案面临制程持续微缩的物理极限，意即要持续提升性能与降低成本都更加困难。因此，Intel Optane 等次世代内存近年来广受讨论，希望在有限度或甚至不改变现有平台架构的前提下，找到新的解决方案。TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）认为，次世代内存与现有解决方案各有优劣，最关键的机会点仍是在于价格。
TrendForce 表示，目前包含 Intel、三星与美光等内存厂商皆已投入次世代内存解决方案，如 MRAM、PRAM 和 RRAM 等。以 Intel 的 Optane 为例，是以 3DxPoint 为设计基础的服务器类产品，由于现在已经推出与市面上服务器模组能够完全相容的 DIMM，对主板设计厂而言，同样的插槽可以依据整机成本的考量，自由更换服务器内存模组或 Optane 解决方案。
然而，由于次世代内存尚未规模化与标准化，因此成本较高，所以厂商目前几乎都锁定在资料中心等特殊应用，尤其是超大规模资料中心拥有相对高程度的客制化设计，可以针对不同内存规划新的配置。
近年来由于智慧终端装置的普及加上人工智能技术逐渐成熟，使得大部分应用服务皆借由服务器来进行统合，尤其是需要倚赖庞大数据进行运算与训练的应用服务。此外，伴随着虚拟化平台及云储存技术发展，服务器需求与日俱增，也带动超大规模资料中心（hyperscale datacenter）的成长。根据 TrendForce 调查显示，全球超大规模资料中心的建置数量于 2025 年预计将达 1,070 座，2016 年至 2025 年 CAGR 达 13.7%。
现有内存价格有望在 2020 年止跌反弹 成为次世代内存切入机会点
从市场面来看，DRAM 与 NAND 目前皆处于供过于求，使得现有内存解决方案价格维持在低点。以 DRAM 来说，价格持续下跌基本上是受到服务器与智能手机的需求下滑，导致消耗量急冻与库存攀高；而 NAND 则是因为竞争者众多，而陷入市占争夺的状态，且由 2D NAND 转向不同程度的 3D NAND 造成供给位元大幅度增长。综合以上所述，2019 年的 DRAM 与 NAND 价格同时快速滑落，而且 NAND 的价格正逐渐逼近厂商的现金成本。
随着现有内存解决方案价格越来越便宜，对次世代内存来说并非最好的切入点，但展望未来，需求陆续回温与价格弹性所带动的库存回补动能，可望带动 2020 年的内存价格止跌反弹，让次世代解决方案有机会打入市场。TrendForce 认为，市场在未来的几年间，将会在特殊领域当中逐渐增加次世代内存的考量与运用，成为现有解决方案的另一个新选项。
全球市场研究机构 TrendForce 将在 2019 年 5 月 31 日（五）COMPUTEX 期间，于台北国际会议中心举办“Compuforum 2019：资料经济大未来”研讨会，请详见活动官网。
（首图来源：shutterstock）
