中国紫光发展半导体又有新进展，近期传出紫光积极与中国几个省份洽谈，拟建 DRAM 厂，一反紫光董事长赵伟国先前强调主力往 Nand Flash 布局的说法，或将循华亚科模式，邀请美光等国际大厂技术入股，借此建立起中国自有 DRAM 厂。
在中国公布〈国家积体电路产业发展推进纲要〉大举宣布建立自有 IC 供应链，受到军事、国防考量，内存产业成为中国亟欲自建的重要产业，除了先前有中国五省市竞逐争取中央补助款建立本土 DRAM 厂，中国紫光集团也积极在内存产业布局。
挖角高启全、宣布入股硬盘大厂威腾（Western Digital，WD）、取得台湾内存封测厂力成 25% 的股权，紫光还获英特尔的入股，英特尔并将大连 12 吋晶圆厂产能转为生产最先进制程 NAND Flash，但在 DRAM 产业紫光却始终卡关，寻求收购、入股美光不成，现在可能拟自建晶圆厂，与大厂谈技术授权、分产能，据悉，除了美光，SK 海力士也是紫光寻求合作的对象之一。
关于建厂，紫光也积极寻找中国各地方政府的投资，科技新报进一步取得消息，紫光旗下同方国芯发动的 800 亿人民币定向增资还未有着落，消息人士指出，因此紫光与深圳、厦门等省市商洽，透过落户某一省市借此取得资金，然目前仍在洽谈阶段还未有定案。
紫光集团先前透过旗下上市公司同方国芯，提出 800 亿定向增资案筹钱，当时官方计划透过其中 600 亿用来投入内存芯片工厂、37.9 亿用来收购力成 25% 股份，而其中 162 亿用来收购 IC 产业相关领域厂商。
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