外界原本估计 2019 年是“中国内存元年”，中国三大内存厂商都将在今年投产，带动半导体产业起飞，但是美国科技禁售令和国际半导体市场低迷，重创中国。部分人士预测，中国厂量产时间将被迫延后至明年、甚至更晚。
韩国媒体 BusinessKorea 10 日报导，中国三大内存业者中，长江存储（Yangtze Memory Technology）主要发展 NAND flash、福建晋华（Fujian Jinhua）发展服务器 DRAM、合肥长鑫（Innotron）主攻行动 DRAM，先前传出三厂都有望在今年投产，如今情况改变。
韩国半导体业协会（Korea Semiconductor Industry Association）执行董事 Ahn Ki-hyun 9 日表示，企业的真正竞争实力在衰退时显露，中国芯片厂已因美国管制遭逢困难，产业低潮会让中国厂再受打击。就算中国政府不计成本发展半导体，内存需求放缓仍会迫使中国厂减缓投资。
Ahn 并说，一旦芯片厂价格战开打，中国厂技术和成本竞争力较弱，别无选择只能蒙受巨大亏损。中国厂有朝一日会追上韩厂，但是这天来临的时间将再往后延。目前以 NAND flash 来说，韩国厂已研发出 90 层 NAND，中国厂只有 32 层产品，而且因良率问题尚未量产。DRAM 方面，中国厂还未准备好发布产品，量产之日仍遥遥无期。
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