根据大摩（摩根士丹利，Morgan Stanley）证券提出的最新研究报告指出，近期全球内存市场的价格恶化速度比预期中来得更快，使得在 DRAM 方面面临需求下滑，库存增加，以及价格下跌的压力。至于，Nand Flash 方面，则是因为供给过剩，第 3 季开始将使得厂商的营运风险大增，印证了先前内存涨价趋势可能已告段落的预测。而受到报告的冲击，内存大厂美光（Micron Technology）6 日在美股的股价，收盘时重创近 10%。
事实上，大摩团队在日前就已经发出警告，提醒投资人过去内存涨价趋势近期可能已经告一段落，面临循环周期反转的压力。而此次是由大摩的韩国半导体研究团队，访谈内存买卖双方后发现，DRAM 制造厂在旺季来临前提高库存后，积极想办法稳定价格。但是，客户需求却从 8 月起开始放缓，使得制造商面临很大的价格压力，而且这一状况短期内无法解决，使得 DRAM 厂在未来 2019 年时的毛利率也恐怕会受到拖累。
大摩在报告中进一步指出，从几个方面可以看出 DRAM 市场面前正面临着重大的变化。在服务器方面，来自超级客户的需求明显下滑，通路上的库存周转周期增加了一倍。在行动装置上，包括来自美国与中国的需求疲弱，使得 DRAM 价格欲振乏力。个人电脑市场上，目前正看到厂商正在积极进行去处存的动作。最后在显卡的需求上，加密货币挖矿卡与游戏卡的需求减弱，而且预料第 4 季需求将急速下滑。
综合以上的情况，大摩以业内人士估计表示，目前服务器 DRAM 的通路库存为 6 到 8 周，高于过去 8 季以来平均 3 到 4 周的水准。而且，从供应商的角度来观察，相信目前韩国的 DRAM 大厂在本季已累计超过 4 周的库存量，而且生产也已超过出货量的两个月数量，这使得库存的压力在不断的累积中，这与之前大摩预估的 DRAM 库存水位已经偏高，前置时间也遭延展的结论不谋而合。
而受到此一报告出炉的冲击，内存大厂美光 6 日的收盘价重创近 10%。而国内的 DRAM 厂南亚科，华邦电股价也收到波及，7 日开盘纷纷下跌超过半根停板。
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