三星电子（Samsung Electronics）18 日宣布，开始量产业界首见的 6Gb 20 奈米制程 LPDDR3 行动 DRAM。该公司表示，低耗能产品可让高清的大屏幕行动装置，电池续航力更长、运算速度更快。 三星新闻稿称，6Gb（gigabit）的 LPDDR3 数据传输速度为 2,133 Mbps。3GB 版的 LPDDR3 芯片组由 4 个 6Gb LPDDR3 芯片组成，适用于各种行动装置。新品比现行的 3GB LPDDR3 体积缩小 20%、耗电量减少 10%。目标在高阶智能手机、平板电脑、穿戴装置等抢下一席之地。
新品采用三星的新 20 奈米制程，生产力提升 30%。该公司已在 3 月率先采用 20 奈米制程生产个人电脑用的 4Gb DDR3，如今产品领域拓展至行动 DRAM。
韩联社报导，三星电子 8 月 27 日宣布开始量产业界首见的直通硅晶穿孔（Through-Silicon Via，TSV）封装的 DDR4 模组，速度较前代快上一倍，用电量却只要一半。三星公关主管 Kim Ki-hoon 表示，TSV 技术能直接传送数据，可大幅提升效率。新推出的 DDR4 为 64GB，供服务器使用，由 36 个四层芯片组成，每个芯片内含 4 个 4 gigabit DRAM。三星表示，TSV 技术还能堆叠更多芯片，模组容量可大于 64GB。
三星称量产 TSV DRAM 模组可让该公司称霸高阶 DDR4 DRAM 市场，也能为今年下半推出的次世代中央处理器，提供高效解决方案，该公司将于下半年生产 64GB 以上的高阶 DDR4 模组。三星估计，今年全球 DRAM 市场达 386 亿美元，其中服务器需求约占 20%，预估云端运算盛行会带动高阶 DRAM 需求。
（MoneyDJ新闻 记者 陈苓 报导）
