韩国媒体今天引述产业消息人士报导，台积电计划 2022 年资本支出达 440 亿美元（约新台币 1 兆 2,118 亿元），以巩固晶圆代工龙头地位后，死对头三星电子寄望 2030 年前称霸晶圆代工的梦想，面临了重大难关。
韩国前锋日报（The Korea Herald）引述 Eugene Investment Securities 分析师李承禹（Lee Seung-woo）表示：“去年，三星电子（Samsung Electronics）在内存、晶圆代工和基础建设投资约 40 兆韩圜（335 亿美元）。今年，台积电光在晶圆代工就砸下超过 50 兆韩圜。”
“晶圆代工需要庞大资本投资，在目前的事业结构下，三星难以追上台积电。”
报导中表示，要追上台积电，三星面临更大的不确定性，因为在芯片投资方面，三星很可能在 2022 年被台积电超越。
台积电今年资本支出上看 52.2 兆韩圜，三星资本支出则估达 45 兆韩圜。台积电今年芯片投资金额高于三星近年来投资金额。三星 2020 年投资 32.9 兆韩圜，2021 年投资 40 兆韩圜，皆超过台积电同期投资的 18.4 兆韩圜和 35.6 兆韩圜。
报导中指出，台积电庞大芯片投资的背后有惊人的 2021 年财报表现。台积电去年营收较前一年大幅攀升 24.9%，来到 568 亿美元，营业利益则飙升 40.9%，来到 232 亿美元，几乎是三星芯片事业营业利益 256 亿美元的 90%。
随着台积电扩大芯片投资，它和三星的差距预料只会扩大。根据集邦科技，台积电去年第三季在全球晶圆代工市占率达 53.1%，其次是三星的 17.1%。
报导中说，三星心知肚明在规模上无法打败台积电，因此倾全力要在制程上领先。三星计划今年上半年开始进行 3 奈米芯片量产，将比预计今年下半年量产的台积电至少领先 1 个月。
为了赶上台积电，三星计划 3 奈米先采用闸极全环晶体管（Gate-all-around，GAA）制程，将会比 5 奈米芯片，减少达 35% 体积，性能提高 30%，能耗减少 50%。而台积电预期将在 2 奈米芯片制程采用 GAA 制程，预计将在 2024 年量产。
（首图来源：台积电）
