2016 的 SSD 技术即将迎来重大变化。
先前 Toshiba 与 Sandisk 公开了技术合作的 48 层 BiCS 3D NAND Flash 设计，随后另一组有着深厚合作关系的人马 Intel 与 Micron 也透漏了自家的 3D NAND 设计的更多资料。
其实去年底 Intel 就已经粗浅的透露了一部分的参数，包含了会具有 32 层堆叠、可提供 MLC 颗粒 256Gb（32GB）、TLC 384Gb（48GB）的容量等，现在他们透露了更多。
首先，新的 NAND Flash 的设计上将会具有 4 个 Plane，Plane 是整个 NAND Flash 体系中第二大的单位，仅次于 die；再下去则是我们所知道的 Block 与 Page 这些更基本的单位，设计 Plane 的用意是用来对 Block 进行划分，相异的 Plane 是可以同时进行动作的，若少了 Plane 设计，在 Die 内就一次就只能对一个 Page 进行读写而降低性能，而 Intel-Micron 使用了 4 planes 设计可以有效地增加吞吐量。
在耐久性的部分，Intel 与 Micron 公开资料显示，电荷的数量将可以回到过去平面式设计在 50 nm 左右的等级，而电荷的数量会将会影响储存单元的判断精确度以及控制难度，这也是为何在平面式 NAND FLASH 旧制程产品的 P/E Cycle 较高的因素。不过 Micron 方面，目前只承认会有 3,000 P/E 的表现，但 Micron 在消费级 NAND FLASH 已经维持这个数据长达数年，因此有可能只是 Micron 提供保守估计，实际上的表现可能可以来到 10,000 P/E Cycle 以上。
另外比较特别的是，Intel-Micron 的设计还是使用了传统的 Floating Gate，而不是 Samsung、Toshiba 所使用的 Charge Trap。他们表示，Floating Gate 的设计已经存在悠久，比起相对新的 CTF 特性更能能被很好的掌握，换句话说则是以 Intel-Micron 对 Floating Gate 技术的深入了解，做起来比较省钱。当然比起 CTF 技术可能有着更低的漏电流等好处可能也在考虑范围之内。
上市时程方面，目前 256 Gbit 的 MLC 样品，已经出货给特定的合作伙伴，预计今年的下半年度就可以进入量产。因此我们也许可以在明年就可以看到使用 Intel 与 Micron 3D NAND Flash 的 SSD 产品出现在商店货架上。
- Intel-Micron Share Additional Details of Their 3D NAND
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延伸阅读：
- Toshiba 与 Sandisk 携手开发，推出 48 层 3D NAND FLASH
