中国半导体国家队紫光集团与武汉新芯在日前合并，组成长江存储全力发展内存，其倾国家之力建设的国家内存基地也于 2016 年底动工，中国内存之路到底走到什么境地？从前武汉新芯首席执行官、现任长江存储首席执行官杨士宁参与技术论坛的言论，或能透露更多端倪。
中国半导体产业交流平台 IC 咖啡 14 日在中国上海举办了“匠心独运、卓越创芯”技术峰会，前武汉新芯首席执行官、现任长江存储首席执行官杨士宁以“发展内存产业的战略思考”为题进行演讲，会中也透露了长江存储的内存发展策略，与目前技术进展。
武汉新芯原为中国选定的内存发展主力厂商，当时武汉新芯以 NAND Flash 做切入，展开一连串布局，包含在 2015 年与现已并入赛普拉斯（Cypress）的飞索半导体（Spansion）技术合作，在武汉新芯与紫光合并组成长江存储后，仍维持当时的发展策略，以 3D NAND Flash 做为策略发展重点。
对此，杨士宁指出，选择 3D NAND 为突破口是企业需求、外部机遇与市场动力的吻合，是技术问题，更是经济问题。他进一步解释道，DRAM 与 2D NAND 都面临竞争对手折旧后设备的大量产能，而 3D NAND Flash 增量巨大，且为目前众内存厂商争相竞逐发展的新领域，拥有较佳的发展机会。
杨士宁透露，长江存储 32 层 3D NAND Flash 发展顺利，产品指标也良好，预计将在 2019 年实现产能满载。甚至豪言，要在 2019 年与内存前几大业者技术差距拉近至半代，并于 2020 年追上世界领先技术。
先前有传闻，长江存储预计在 2017 年发展出 32 层堆叠 3D NAND Flash 产品，对此长江存储今 16 日特地发布消息强调，公司从未发表过 32 层 3D NAND 在今年量产的讯息。
- 杨士宁：长江存储展望2020年赶上三星等对手
（首图来源：shutterstock）
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