在过去的几年里，所有的 PC 组件都有了显著的性能升级，包括储存装置、图形加速器、主板、CPU 等，相关设计都获得了突破，2007 年推出的 DDR 3 内存已经成为标准配备，绝大部分的电脑计算设备都用运到相关的记忆芯片。而 DDR 4 已经开始蠢蠢欲动，准备开始进入市场，但 DDR 4 也可能是末代 DDR 内存了。
DDR 4 到底有多快？
英特尔（Intel）将于 2014 年稍晚时，推出支援 DDR 4 的 Haswell-E X99芯片组，这将会是更快、更新的内存颗粒标准，不但会提升 50% 的内存带宽（Memory Bandwidth），也会降低 30% 的功耗，根据 Intel 表示，这些芯片组将会在 2014 下半年推出，届时新的主板都将会采用此芯片组。
X99 芯片组不仅支援 DDR 4，同时也会支援英特尔推出的 8 核心处理器──是目前英特尔处理器两倍的核心数量，DDR 4 的时脉最高将达 3200MHz，是 DDR 3 传输速率的两倍高，而且新的 DDR 4 运作电压仅 1.2 伏特，比 DDR 3 的 1.5 伏特还低了至少 20%。如果这些东西还不够吸引你的话，DDR 4 还提供更多可靠的诊断与测试工具。
DDR 4 何时会出现在市场上？
三星已经开始着手在 DDR 内存的生产上，该公司早在 2013 年底宣布量产 20 奈米制程的 4GB 内存颗粒，并将 32 GB 的内存推向服务器市场，我们将会先在高阶服务器市场上看到 DDR 4 内存的应用，接着会在 2015 看到桌机与笔电开始使用 DDR 4 内存。同时该公司也已在 2014 年 1 月推出移动装置所使用的 DDR 4 低功耗版本（LP-DDR 4）。
根据制定内存标准的电子设备工程联合委员会（JEDEC）资料，DDR 4 将会支援深度省电技术（Deep Power Down），可以让内存进入休眠模式，而不需要刷新内存。同时也能直接刷新 DIMM 上的单一内存颗粒，而无须刷新整个 DIMM ，让 DDR 4 可以减少 50% 的待机功耗。
最后一代 DDR 内存
许多专家认为 DDR 4 将会是最后一代的 DDR 内存，一些非挥发性内存技术，例如相变内存（Phase-Change Memory）、磁阻内存（Magneto Resistive Memory）、电阻内存（Resistive Memory）等技术都蓄势待发。
相变内存的读取、写入速度不但更快，同时也能有更多的写入循环，比 DRAM 更短的延迟读取速度。美光表示，相变内存显示了 DRAM 与非挥发性内存日益扩大的性能差距。
面对更高速的处理器，和即将问市的SATA Express规格，很快地我们就会需要能跟上电脑的运行速度的内存规格，DDR4将有望可以在不久的将来填补这个空缺。
- The lowdown on DDR4 RAM: When will it get here, and what will it do once it arrives?
