美商内存厂美光科技于 30 日宣布，全球首款采用 176 层堆叠的 NAND Flash 通用闪存储存 UFS 3.1 行动解决方案已正式量产出货。透过较前几代快 75% 的循序写入和随机读取性能，专为高阶和旗舰级手机打造的美光 UFS 3.1 独立行动通用闪存将能彻底释放 5G 的潜力，经测试，能在短短 9.6 秒内完成一部 2 小时的 4K 电影下载。
美光指出，新推出的 176 层堆叠 NAND Flash 设计精巧，能满足行动装置对高容量、小尺寸解决方案的需求。此次发布前，美光采用 176 层堆叠的 NAND Flash PCIe Gen4 固态硬盘已于 6 月量产供货，为专业工作站和超薄笔电提供高性能、设计弹性和低功耗等优势。如今进一步应用于智能手机上，美光领先业界的先进 NAND Flash 技术和性能将可透过跨应用程序的多工处理，为使用者实现更即时的行动体验。
美光行动事业部资深副总裁暨总经理 Raj Talluri 表示，5G 为行动装置提供数千兆位元的速度，其中，高性能硬件基础对于驱动光速般的行动装置体验而言至关重要。借由无与伦比的性能，美光突破性的 176 层 NAND Flash 技术能在弹指之间为消费者带来丰富的多媒体内容。
美光强调，新的 176 层堆叠 NAND Flash UFS 3.1 解决方案提供较前几代快 75% 的循序写入速度和快 70% 的随机读取速度，可显著提升应用程序性能。并且具备高达 1,500 MB/s 的循序写入性能，经测试能够支援在 0.7 秒内下载 10 分钟的 4K（2,160 像素）YouTube 串流影片，或在 9.6 秒内下载 2 小时的 4K 电影。
而与前一代相比，美光的 176 层堆叠 NAND Flash UFS 3.1 解决方案及其优秀的服务品质可改善约 10% 的延迟，提供更快速的反应时间与更可靠的行动体验。此外，与前代产品相比，美光 176 层行动解决方案提供两倍的写入总位元数，这代表在不降低装置可靠性的情况下，可以储存两倍的资料量，即使面对重度使用者，也可以延长智能手机的使用寿命。目前，美光 176 层堆叠 NAND Flash UFS 3.1 解决方案独立行动通用闪存现已上市，有 3 种不同的容量配置：128GB、256GB 和 512GB。
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