中美贸易战下,中国内存商福建晋华,遭美国指控窃取商业机密,发展停摆。不过另一家内存商长江存储似乎未受影响,今年底将如期量产 64 层 3D NAND flash。专家称,量产后长江存储和国外大厂的技术差距,将缩小至两年。
日经新闻报导,长江存储共同技术长 Chen Wei-Hua 在中国国际半导体技术大会场边向日经新闻表示,该公司生产如期推进,和全球供应商的合作关系照旧。长江存储接受中国政府“大基金”的资金挹注,正在湖北武汉打造价值 240 亿美元的工厂(首图),预定 2019 年底量产中国首次自行研发的 64 层 3D NAND Flash 芯片。64 层 3D NAND 是目前业界主流规格。
市场观察家说,长江存储是中国最有希望的内存业新星,不过 2019、2020 年对市场应该不会有太大影响。Bernstein Research 半导体分析师 Mark Li 说,中国多家内存业者中,长江存储的制造技术根基或许最稳固,如果该公司 64 层 3D NAND 如期在 2019 下半年量产,长江存储和国外领导厂商的技术差距,可望从落后 3、4 年,缩小至落后 2 年。
福建晋华的前车之鉴,让长江存储的 Chen 强调,公司不允许员工窃盗知识产权,或偷盗其他公司机密,他们要求所有人员签署协定,不能把非法取得资料带进公司。另外,近来内存供给过剩,价格跌不停,外界忧虑长江存储将开出庞大产能,打坏市场。Chen 指出,公司不会大举增产,让内存供过于求。长江存储首席执行官杨士宁(Simon Yang)去年 9 月也说,无意摧毁内存市场。
中国积极发展半导体,IC Insights 估计,今年全球预定有 9 家 12 吋(300mm)晶圆厂启用,其中 5 家位于中国。
IC Insights 15 日新闻稿称,12 吋晶圆是业界主流,2018 年全球 12 吋晶圆厂增加 7 家至 112 家。今年估计有 9 家新厂启动,其中 5 家都在中国。一年 9 家 12 吋晶圆厂开业,为 2007 年来之最。另外,2020 年 12 吋晶圆厂估计再增 6 家。2019、2020 年新开设的 12 吋晶圆厂,皆用于生产 DRAM、Flash,或是晶圆代工。
(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:长江存储)
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