TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 最新调查报告显示，第三季 NAND Flash 价格下滑速度加快，整体营收仅较第二季成长约 2.4%。DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，第三季原先看好的旺季效应需求并未出现，来自于总体经济面的杂音让各种 NAND Flash 终端需求销售不如预期，也让第三季整体 NAND Flash 市场呈现供过于求的格局，价格下滑的力道加强也让业者营收成长与利润保卫也面临挑战，第四季供过于求的情况将持续，营收再度成长的动能也备受考验。
三星电子（Samsung）
受到系统产品和零售记忆卡碟市场需求不振，让平均销售单价下滑幅度扩大的情况下，虽然位元出货量较第二季成长约 15%，三星第三季 NAND Flash 营收依旧微幅衰退 1%，至 26.8 亿美元，营业利益率也较第二季下滑。产品策略上，由于三星在 3D-NAND Flash 相关应用的固态硬盘（SSD）以及 16 奈米的 eMMC/eMCP 产品线均布局完整，因此重点都摆在高容量的 SSD 与 eMMC / eMCP 产品推广与销售，来拉开其他业者的距离。
东芝电子（Toshiba）
东芝电子 15 奈米产出比重在第三季突破 50%，15 奈米 TLC 的 Mobile-NAND 在主要策略客户的新款智能手机上市后拉货态度积极，再加上 SSD 产品也陆续完成在服务器与电脑业者的认证出货，让第三季东芝 NAND Flash 营收较第二季成长 10%。在制程与投片计划上，第二半导体厂的机台设备已开始移入并进入试产的阶段，2016 年第一季起可开始小量生产 3D-NAND Flash，而原先第五半导体厂依旧生产主力制程的 15 奈米 MLC 与 TLC 颗粒和更新制程 3D-NAND Flash 的试产线。
晟碟（SanDisk）
新款智能手机上市的铺货潮，带动嵌入式产品拉货态势积极，虽平均销售单价下滑 22%，晟碟第三季位元销售仍较第二季大幅成长 49%。单位成本部分亦下滑 24%，除了让第三季 NAND 产品营收成长 18% 至 13.1 亿美元外，毛利率也从第二季的 39% 成长至 42%，结束连续三季下滑的局面。制程规划上，15 奈米产出比重在第三季接近 60%，2015 年晟碟的位元产出成长率也接近 40-45% 的区间，然而在 3D-NAND 产品流程时间的影响以及扩产有限的情况下，晟碟 2016 年位元产出成长率将小于产业平均。
SK 海力士（SK Hynix）
受到第三季 NAND Flash 市况不佳的影响以及 TLC 产出比重快速攀升的影响，平均销售单价下滑 15%，让第三季海力士营收较第二季下滑 4.7% 至 9.27 亿美元，位元出货量则是大幅成长 15%。产品组合上，SSD 与嵌入式产品占比已接近 90%。产品开发进度方面，策略客户的新款智能手机在第三季上市后需求增温，16nm 的 TLC 颗粒出货力道也稳健向上，因此 TLC 产出比重在年底将达到 40%。而 TLC 的产品也陆续通过模组厂的认证，下季起也将放量出货，应用在随身碟与 SSD 等项目。
美光（Micron）
美光 2015 会计年度第四季（6-8 月）产品组合调整的过程依旧持续，这个季度位元出货量较上季下滑 6%，同时平均销售单价与单位成本也微幅下滑 1%，NAND Flash 营收为 11.8 亿美元，SBU（Storage Business Unit）的营业利益率也约略较上季下滑。产品面上，美光持续开发更多的企业级固态硬盘（Enterprise-SSD）与用户级固态硬盘（Client-SSD）产品线，TLC 也完成了在几个策略合作的模组厂的认证，下季可开始量产出货，TLC 产出比重在明年上半年可达到 20%。在制程规划上，3D-NAND Flash 的制程转进速度加快，明年新加坡新厂机台设备的移入时间点依旧，而 3D-NAND Flash 的产出比重在下半年快速攀升，有机会超过 30%。
英特尔（Intel）
由于主要策略客户提前至第二季拉货以及平均销售单价下滑速度加快的影响，第三季英特尔的营收较第二季微幅衰退 0.3%，至 6.63 亿美元。产能规划上，除了持续与美光加深采购的关系外，原先英特尔在大连的逻辑 IC 工厂也将转型生产 3D-NAND Flash，成为在第二家 NAND Flash 原厂在中国投资的 NAND Flash 晶圆厂，未来将瞄准各项 SSD 的相关商机。
