工研院 IEK 指出，2018 年，全球晶圆代工产业版图出现变动，先进制程的演进上，10 奈米成为厂商投资的分水岭。
10 奈米以上由众多厂商分食，由台积电、美国 Intel、Global Foundries 与韩国三星形成美中韩三大阵营。
10 奈米以下制程，则因为美国 Global Foundries 宣布无限期展延 7 奈米制程，Intel 尚无法突破 10 奈米制程瓶颈的结果，7 奈米制程由台湾台积电与韩国三星双雄称霸 。
厂商在 7 奈米先进制程的竞争胜出因素在于稳定的量产性与良率表现，此因素也影响客户下单的意愿。
台积电、三星 7 奈米策略不同
台积电 7 奈米走“稳扎稳打”路线，量产初期使用深紫外光刻（DUV）曝光，利用沉浸式曝光和多重曝光技术平稳转进 7 奈米。而第一代 7 奈米鳍式场效晶体管（FinFET）制程已在 2017 年第二季进入试量产阶段，与 10 奈米 FinFET 制程相比，7 奈米 FinFET 制程可在晶体管数量相同的情况下使芯片减少 37%，或在电路复杂度相同的情况下降低 40% 功耗。
等到 DUV 稳定后，再转换到极紫外光（EUV）曝光 10 奈米以下制程，针对 EUV 最佳化布线密度可减少 10%~20% 面积，或在电路复杂度相同的情况下，比第一代 7 奈米 FinFET 再降低 10% 功耗。
三星则走大胆前进路线。直接抢进 7 奈米 EUV，而在 7 奈米之后则规划使用第二代 EUV 曝光技术的 6 奈米制程，属于 7 奈米 EUV 技术的加强版，电器效能更好。2018 下半年试产使用 7 奈米 EUV 技术产品，大规模投产时间为 2019 下半年，而 6 奈米制程应该会在 2020 年后出现。
Intel 持续与 10 奈米制程苦战
至于 Intel 则继续和 10 奈米制程苦战。主要原因为过于坚持整合的模式，在 x86 架构进行设计与制造的同步投资，当行动装置与非通用处理器兴起时，错失先机。
在行动领域，不同于对手选择 ARM 架构，Intel 坚持利用制造能力创造更有效率的 x86 芯片。而在非通用处理器部分，Intel GPU 为 Larrabee 架构，一样是基于 x86 的图形芯片，但却没有考量到不同应用环境所需 GPU 的性能差异。
不过借由 EUV 实现 7 奈米以下的微缩制程有很多问题要克服，举例来说，生产性（Throught）降低、曝光装置消费电力过大、光罩防尘薄膜 Pellicle 课题与光阻 Pattern 限制的问题。
面对以上问题已有不少设备厂商提供相应解决方案，如“钴”金属的导入与新一代 EUV 光学系统的设计。
（本文由 数位时代 授权转载；首图来源：三星）
