由于中国境内最大晶圆代工厂中芯国际即将于创科版公开上市，并预计募资约 200 亿人民币 (约新台币 820 亿元)。而针对中芯国际提出的公开上市申请，中国上海证交所也提出相关的问题询问。其中，针对在先进制程研发事项的问题，中芯国际回答指出，目前旗下的 14 奈米 FinFET 制程虽已进入量产阶段，但还处于初期的市场布局阶段，因此市占率仍低。而下一代的 FinFET 制程，目前已进入客户导入阶段，与第一代相比有望在性能上提高约 20%，功耗降低约 60%。
根据中国媒体报导，中芯国际在公开上市说明说中表示，中芯国际此次计划发行不超过 16.86 亿股新股，预计募资 200 亿人民币，计划分别投入将采用中芯国际 14 奈米 FinFET 制程，由中芯南方所建造中的 12 吋晶圆厂──SN1 计划 80 亿元，先进及成熟制程研发计划储备资金 40 亿元、以及补充流动资金 80 亿元。其中，兴建 12 吋晶圆厂的 SN1 计划为中国第一条 14 奈米 FinFET 制程，及其以下先进制程的生产线，规划月产能为 3.5 万片，目前已建成月产能约 6,000 片。
报导指出，中芯国际表示，14 奈米 FinFET 制程的晶圆代工产能正处于市场初期布局阶段。因此，现阶段在全球的市占率相对较低。不过第一代 14 奈米 FinFET 制程已进入量产阶段，且具有一定的性价比，目前已同众多客户开展合作，预计产能利用率可以稳定保持在较高水准。另外，14 奈米 FinFET 制程主要应用于 5G、人工智能、智慧驾驶、高效能运算等新兴领域，未来具有其发展前景。而且，随着相关应用领域持续发展，先进制程的市场需求将持续上升。因此，在市场占有率将不断扩大的情况下，也将成为晶圆代工市场新的成长点。
至于，在下一代节点制程的开发上，中芯国际指出，第二代 FinFET 技术目前已进入客户导入阶段，与第一代相比有望在性能上提高约 20% ，功耗降低约 60%。另外，为加强在先进制程方面的技术实力，中芯国际也将不断加大先进制程的研发投入。其中，之前完成了 28 奈米 HKC+ 制程、第一代 14奈米 FinFET 制程的研发和量产。未来，第二代 14 奈米 FinFET 制程持续发展下，加上不断拓展成熟制程应用平台，这都使得中芯国际在研发费用率将高于其他同类型公司。
报导进一步引用中芯国际的说法表示，目前第一代 14 奈米 FinFET 制程处于产能和产量稳定提升阶段，因此该产品毛利率为正。不过，因为未来将借由第一代 14 奈米 FinFET 制程进行生产的中芯南方 SN1 晶圆厂产线仍处于刚开始的兴建阶段，尚未开始折旧，使得当前相关营运及财务数据参考度较低。至于 28 奈米产品毛利率当前为负值，主要原因包括产业供求失衡的冲击下，全球 28 奈米制程市场出现产能过剩的状况，价格相较于 2017 年平均价格都有所下滑，且相关的产线也面临较高的折旧压力。
而在 SN1 12 吋晶圆厂生产线的兴建计划上，中芯国际也指出，虽然预计量产后将会贡献额外的先进制程收入，但同时带来较高的折旧成本压力。而随着 14 奈米及下一代制程的产线投产、扩产，届时公司一定时期内会面临较大的折旧压力，使得该部分业务毛利率也可能会低于业界的平均水准，使得经济效益低于预期，甚至产生较大比例亏损的风险。
(首图来源:中芯国际)
