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工研院:台积电切入新兴内存具优势

2024-12-28 207


随着人工智能趋势兴起,台积电拥有逻辑制程技术,将有望进入高阶新兴内存领域;工研院电子与光电系统研究所长吴志毅分析,一旦台积电跨足新兴内存领域,将比既有内存厂商有优势。

国际超大型积体电路技术研讨会(VLSI)今天在新竹国宾饭店登场,吴志毅表示,随着人工智能崛起,电脑架构运算方式改变,需要新元件技术,包括磁阻随机存取内存(MRAM)等新兴内存适用于这类运算。

吴志毅说,届时,内存厂商将会依据应用面分不同等级,符合低功耗与速度快的需求应用面,会由新兴内存负责,传统的闪存(Flash)及动态随机存取内存(DRAM)还是持续存在。

吴志毅进一步说,既有的内存厂普遍缺乏逻辑制程技术,若要切入新兴内存发展,其门槛难度高,台积电却因为有逻辑制程技术,显然较具有优势。

吴志毅指出,工研院投入新兴内存研发已超过 10 年,累积不少的人才与硅智财(IP),与台积电的合作不便公开,可以确定的是台积电在新兴内存发展,工研院将会有贡献。

(作者:张建中;首图来源:科技新报)

2020-08-12 08:01:00

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