半导体产业的奈米大战一路打下来，从 2X 奈米厮杀到 1X 奈米制程，随着英特尔、三星连格罗方德都喊出 14 奈米量产，使得目前最先进制程仍在 16 奈米的台积电备感压力，英特尔与三星日前宣示 2016 年量产 10 奈米，台积电也加紧脚步，誓言在下世代制程要抢回领先优势。
先前台积电才宣布 10 奈米制程要在 2017 年量产，现在看来时间似乎有望稍稍提前，台积电总经理暨共同首席执行官刘德音周二在加州圣荷西市参加技术论坛时表示，2016 年底量产 10 奈米，且届时产能将能满足客户的需求。
先前外资圈即传出台积电 10 奈米制程技术大幅提升，Morgan Stanley 日前发布的投资报告也看好 EUV 技术，认为其有助于台积电在 10 奈米以下制程迎头赶上英特尔。
据先前媒体报导，英特尔 10 奈米技术预计 2016 年下半年量产、采用 10 奈米技术的 Cannonlake 处理器于 2017 年上半年出货，而三星今年二月已于旧金山展示行动装置用 10 奈米 FinFET 半导体制程，也被认为有机会赶在英特尔之前推出 10 奈米行动芯片组。
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