TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）表示，紫光集团于 8 月 27 日宣布与重庆市-签署合作协定，并在重庆投资 DRAM 研发中心与工厂，厂房预定 2019 年年底动工，并于 2021 年完工。这显示在福建晋华遭到美国禁售之后，以及在中美贸易摩擦影响下，中国加速自主开发 DRAM 产品的进程。
紫光集团已于 6 月 30 日公告成立 DRAM 事业群，由曾任工信部电子信息司司长的刁石京出任董事长，首席执行官则由高启全担任，代表紫光集团与中国-的合作进一步深化，也更加确立中国自主开发半导体的发展方向。
根据 TrendForce 推估，紫光 DRAM 事业群首先要面对的挑战将是相关制程技术的开发。当时的福建晋华，姑且不论美国的禁售，先前在技术上已与联电密切合作，让制程与产品都按照原订计划进行；而合肥长鑫也与奇梦达有技术交互授权，有助产品开发。紫光集团方面，旗下 IC 设计公司紫光国微具有 DRAM 相关产品的研发实力，但制程开发上至今仍未有合作对象，未来如果以自主开发的方向进行，至少需要 3-5 年的研发时间，代表就算 2021 年工厂完工甚至进入小批量投片，然而达到一定的经济规模仍需要更长的时间。
紫光集团目前较为欠缺的制程研发能力，预计可望借由其首席执行官高启全的业界人脉进行补强，而高启全在紫光的 5 年任期即将在明年届满，是否会对紫光的 DRAM 发展产生影响，也须持续关注。
TrendForce 指出，紫光集团并非首次计划进军 DRAM 产业，早在 2014 年就曾表达出研发 DRAM 的决心，但当时为了平衡产业与地方发展，且紫光已经确定 NAND 发展路线，后续 DRAM 的开发计划因而停摆。此次紫光集团回归 DRAM 开发，主要是因为福建晋华在去年 11 月遭美国颁布禁售令后，量产与未来研发之路的不确定性因素仍高，加上合肥长鑫虽然预计今年年底导入量产，但整体放量最快也要到 2020 年年底。对于中国而言，仅有一家正在进行的 DRAM 厂是不足以实现自主开发的目标，尤其又面临中美贸易摩擦的大环境因素，亦让紫光集团重新出线进行 DRAM 的开发与生产。
（首图来源：紫光）
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