根据平面媒体报导，国内半导体大厂南亚科的员工，于 7 日下午爆料指出，南亚科林口 3A-N 厂于 6 日下午惊传发生电力压降的情况，造成内部制程当机，以致北栋厂商全部撤离。而根据 《科技新报》 所掌握到的消息，这一次事件对南亚科产能影响约在 1K 到 2K 的晶圆数量，相较于上星期华亚科化学气已外泄所造成的损害来说，算是比较轻微。
根据平面媒体报导指出，6 日南亚科林口 3A-N 厂所发生的电力降压情况，原因是台电的电力设备，因为雷击而造成瞬间压降的情况，以致南亚科林口 3A-N 厂电压下降，造成内部制程当机。对此，南亚科也回应表示，该事件在经过紧急处理与重新设定之后，7 日绝大部分设备皆已恢复正常运作，并未造成重大影响。据了解，这次的事件对产能的影响仅在 1K 到 2K 的损失，以南亚科目前的产能来说，短时间很容易能补齐，相信对于目前市场上内存吃紧的情况，应该不会造成任何的影响。
近期，由于全球内存产能吃紧的状况，使得内存产业一有相关风吹草动，就会引起市场价格上的波动。以上周台湾美光桃园厂区旗下 N2 晶圆厂，因供应氮气的氮化纯化厂遭污染，导致逾百台机台全数遭到污染，造成产线上数万片 DRAM 晶圆必须报废的事件为例，市场调查研究机构 TrendForce 旗下的内存储存研究 （DRAMeXchange） 就表示，该事件就将影响全球 DRAM 产能 5.5%，并且造成价格进一步上涨的情况。
(首图来源:南亚科提供)
