随着日前内存控制芯片大厂群联董事长潘健成对媒体表示，目前 NAND Flash 芯片需求相当强劲，加上主要厂商大多表示，未来 3 年产能仍无法满足市场需求的情况下，预期 2017 年第 3 季 NAND Flash 会比 2017 年第 1 季还缺货，可能会是史上最缺货一季。外资也表示，因为未来新款手机内建储存容量不断提高，2017 年 NAND Flash 缺货的情况将不易缓解。
根据外资报告指出，NAND Flash 的产能问题，2017 年三星、美光、东芝／威腾、SK Hynix 都会在下半年量产 64 层，以及 72 层堆叠的 3D NAND Flash 情况下，预计产能有大幅度提升，但 NAND 技术升级还要面临良率考验，产能是否能够顺利提升，恐怕还有门槛要跨。
在推动 NAND Flash 需求上涨的诸多原因中，手机内建存储容量的增加确实是重要关键。随着目前行动 App 体积越来越大，部分手机游戏的大小已不比单机游戏小。加上即时通讯软件快速发展，包括聊天纪录、语音通话、图片档案等，都让手机内建储存需求直线上升。从之前的 16GB / 32GB ，一跃到目前的 32GB / 64GB 内建储存容量，导致 NAND Flash 需求翻倍上涨，更别说很多高阶手机的内建储存容量直接达 128GB，都让 NAND Flash 市场供货更吃紧。
2017 年秋季，苹果即将发表的新一代 iPhone 系列手机中，大家最关注的就是所谓 10 周年纪念版。因为，除了搭配 OLED 屏幕、无线充电、高屏幕占比等卖点，据称储存容量也会大幅增加以符合其地位，故起步容量就达 128GB，相较目前 32GB 的起步容量要大得多。如此不但大幅增加市场需求，加剧 NAND Flash 的缺货问题；在市场需求不断提升，产能又跟不上的情况下，2017 年 NAND Flash 的供货吃紧恐将难以纾解。
（首图来源：美光）
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