半导体先进制程关键之一就是曝光设备，原因是一方面曝光设备占所有先进制程制造设备成本 22% 左右，也占制造工时 20% 左右。另一方面全球仅荷兰商艾司摩尔 (ASML) 生产先进极紫外光曝光设备 (EUV)，EUV 又是进入 10 奈米以下先进制程的必备关键。半导体制造商要跨入先进制程，向 ASML 采购 EUV 曝光设备就必不可少。
目前 ASML 推出三代 EUV 曝光设备，分别是 TWINSCAN NXE: 3400B、NXE: 3400C、NXE: 3600D，数值孔径都为 0.33。理论三代 EUV 曝光设备生产的芯片精度最多 2 奈米左右，一旦进入 2 奈米节点以下，也就是埃米（1 埃米＝0.1 奈米）时，ASML 还得研发更高精准度的曝光设备才行，称为 High NA（高数值孔径）EUV 曝光设备。
ASML 也早有准备。下一代高精准度 EUV 曝光设备型号为 EXE: 5000，数值孔径为 0.55，可用于 2 奈米节点以下芯片制造，如 1.4 奈米（14 埃米）、 1 奈米（10 埃米）等制程。2020 年底有媒体报导，ASML 已基本研发完成高精准度 EUV 曝光设备，且正在试产，预计 2022 年就开始商用。日前比利时微电子研究中心（imec）也表示，ASML EXE: 5000 EUV 曝光设备将在 2022~2023 年起供货。
虽然 ASML 2022~2023 年提供 EXE: 5000 高精准度 EUV 曝光设备，不过要以新曝光设备生产 2 奈米节点以下先进制程芯片，至少要到 2025 年后。据 Imec 11 月 ITF 大会先进制程节点演进状况，2025 年开始推出 A14（A14＝1.4 奈米）制程节点、2027 年推出 A10（10＝1 奈米）制程节点、2029 年推出 A7（A7＝0.7 奈米）制程节点。
市场分析师也表示，ASML NXE: 5000 型号 0.55 高数值孔径 EUV 曝光设备，预计每套售价高达 3 亿美元（约新台币 83.5 亿元），是 0.33 孔径 EUV 曝光设备两倍，对半导体制造厂是另一惊人资本支出高峰期，目前仅台积电、三星、英特尔等三家厂商有能力持续研发先进制程，未来竞争高数值孔径 EUV 曝光设备抢得先机，将是难以避免的戏码。
(首图来源：ASML)
