5G 将于 2020 年将迈入商转，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）的发展。根据 TrendForce 旗下拓墣产业研究院估计，2018 年全球 SiC 基板产值将达 1.8 亿美元，而 GaN 基板产值仅约 300 万美元。
拓墣产业研究院指出，相较目前主流的硅晶圆（Si），第三代半导体材料 SiC 及 GaN 除了耐高电压的特色外，也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势，不仅可使芯片面积可大幅减少，并能简化周边电路的设计，达到减少模组、系统周边的零组件及冷却系统的体积。除了轻化车辆设计之外，因第三代半导体的低导通电阻及低切换损失的特性，也能大幅降低车辆运转时的能源转换损失，两者对于电动车续航力的提升有相当的帮助。因此，SiC 及 GaN 功率元件的技术与市场发展，与电动车的发展密不可分。
然而，SiC 材料仍在验证与导入阶段，在现阶段车用领域仅应用于赛车上，因此，全球现阶段的车用功率元件，采用 SiC 的解决方案的面积不到千分之一。另一方面，目前市场上的 GaN 功率元件则以 GaN-on-SiC 及 GaN-on-Si 两种晶圆进行制造，其中 GaN-on-SiC 在散热性能上最具优势，相当适合应用在高温、高频的操作环境，因此以 5G 基地台的应用能见度最高，预期 SiC 基板未来 5 年在通过车厂验证与 2020 年 5G 商转的带动下，将进入高速成长期。
尽管 GaN 基板在面积大型化的过程中，成本居高不下，造成 GaN 基板的产值目前仍小于 SiC 基板。但 GaN 能在高频操作的优势，仍是各大科技厂瞩目的焦点。除了高规格产品使用 GaN-on-SiC 的技术外，GaN-on-Si 透过其成本优势，成为目前 GaN 功率元件的市场主流，在车用、智能手机所需的电源管理芯片及充电系统的应用最具成长性。
拓墣产业研究院指出，观察供应链的发展，由于 5G 及汽车科技正处于产业成长趋势的重心，供应链已发展出晶圆代工模式，提供客户 SiC 及 GaN 的代工业务服务，改变过去仅由 Cree、Infineon、Qorvo 等整合元件大厂供应的状况。GaN 的部分，有台积电及世界先进提供 GaN-on-Si 的代工业务，稳懋则专攻 GaN-on-SiC 领域瞄准 5G 基地台的商机。另外，X-Fab、汉磊及环宇也提供 SiC 及 GaN 的代工业务。随着代工业务的带动，第三代半导体材料的市场规模也将进一步扩大。
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