随着美国-加强对中国半导体企业的制裁与管制，使得过去中国设定到 2025 年中国的芯片自给率要达到 7 成的目标存在变数。对此，《日本经济新闻》报导指出，面对美国的制裁，从长远来看，这将反而可能会助长中国半导体产业的自立与发展。尤其是为了突破美国对中国的高科技设备封锁，中国方面将联合日本厂商 Nikon 及 Canon 一起研发除 EUV 之外的其他曝光设备。
报导指出，美国近来陆续以禁售令来制裁中国华为与中芯国际等相关企业。就有供应链厂商指出，尽管有美国-的出口限制，但中国半导体企业目前仍在设法迂回避开美国的禁令规定，寻找生路。而其中，与日本企业传出将共同研发曝光设备就是一例。目前，虽然全世界只有荷兰的艾司摩尔 (ASML) 可以制造 EUV 曝光机。但是，因为其中大部分基础技术的智慧产权都在美国手上，因此荷兰-之前就曾经宣布不允许 ASML 向中国出口 EUV 曝光机。
只是，除了 EUV 曝光机以外，其他的曝光设备包括日本的 Nikon 和 Canon 也可以生产。因此，就有知情的业界人士指出，目前中国正看准日本企业的研发能力，计划由中国企业向两家日本公司提供资金，共同进行除 EUV 以外的新型曝光设备开发。而为了因应未来的需求，中国-也开始着手开发半导体制造相关设备和设计软件。
报导指出，目前中国-的想法，是中国有 1,000 多家新兴的半导体相关公司，如果透过自行研发曝光机与相关设备、软件，而使得中国华为和中芯国际从这些公司购买半导体芯片生产所需的制造设备与设计软件等，实际上就可以有机会进一步提振整个中国半导体产业，这也是中国-目前极力要发展半导体相关设备的主因。
不过，面对中国准备砸大钱发展曝光设备及相关软件。就有市场专家指出，即使晶圆代工龙头台积电是从 7 奈米加强版才开始采用 EUV 曝光设备，但过程中台积电与 ASML 也是经过了 10 年以上的合作与协调，最终才能成功的导入 EUV。因此，即便中国砸大钱与日企合作研发曝光机，短期要能成功则仍是困难重重。至于，半导体生产中也是关键的软件部分，就有国际 EDA 大厂指出，EDA 其中的关键不再于半导体生产的相关参数，而是在其中都有专利布局的各项算法，这方面中国厂商很难突破，也就不容易成功。
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