就在上周，台积电在 2020 年第 1 季法人说会宣布，台积电 3 奈米制程将在 2021 年试产，并在 2022 下半年正式量产之际，也同时宣布 3 奈米制程将仍采仍采原有的 FinFET（鳍式场效晶体管），不采与竞争对手三星相同的 GAA（环绕闸极晶体管）。而为何台积电的 3 奈米将持续采 FinFET 的原因，是不是因为良率或成本的因素。对此，台积电并没有给答案。
台积电原定在 4 月 29 日于北美技术论坛发表的相关 3 奈米技术细节，目前因疫情的关系，将延后到 8 月召开。因此，预计台积电 3 奈米制程仍采原有的 FinFET ，不采与竞争对手三星相同的 GAA 的原因，届时会有比较清楚的了解。不过，对台积电 3 奈米的效能，现在国外媒体就已有所报导，指称台积电 3 奈米制程的每平方毫米晶体管数量可能低于 3 亿个，也就是约在 2.5 亿个。
根据国外科技媒体《Gizchina》报导指出，过去采用台积电 7 奈米 EUV 加强版制程的华为麒麟 990 处理器，芯片大小为 113.31 平方毫米，晶体管数量为 103 亿个，平均每平方毫米约为 9,000 万个。而在 3 奈米制程技术的晶体管数量至少为 7 奈米制程的 3 倍情况下，将使得 3 奈米制程芯片的晶体管数量将大约为每平方毫米 2.5 亿个左右，而这样的先进制程足以将过去的 Pentium 4 处理器缩小到如一根针大小。
报导进一步指出，之前台积电总裁魏哲家就曾经表示，3 奈米制程是在 5 奈米制程之后，在制程技术的完整世代技术跨越，相较第一代 5 奈米制程技术，第一代的 3 奈米制程技术的晶体管密度将提升约 70%，预算速度提升 10% 到 15%，能耗降低 15%，使得芯片的整体性能提升 25%~30%，这使得 3 奈米制程技术将进一步达成台积电在芯片制造技术方面的领导地位。
之前，外媒曾经在 2019 年 10 月报导表示，台积电生产 3 奈米制程的工厂已经开始建设，工厂占地 50~80 公顷，预计花费 195 亿美元。对此，在日前台积电的法说会上，魏哲家也强调 3 奈米制程技术的研发正在按计划进行中，预计 2021 年进行试产，而最终的目标是在 2022 年下半年大规模量产。而对于 3 奈米制程将仍采仍采原有 FinFET，不采与竞争对手三星相同的 GAA，虽然外传台积电是基于成本与良率因素，但台积电并没有明确说明。不过此问题预计延后于 8 月举行的北美技术论坛将明确公布。
（首图来源：台积电）
