晶圆代工大厂联电及 100% 持股子公司宏诚创投宣布，两家公司董事会通过与颀邦科技进行股份交换案。预计未来顺利完成之后，联电及颀邦科技两家公司将建立长期策略合作关系。
联电指出，双方基于多年来在驱动 IC 的领域密切联系合作，双方董事会决议以换股方式，相互取得对方股权，更进一步强化双方长期策略合作关系。三方同意依公司法第 156 条之 3 之规定进行股份交换，由颀邦增资发行普通股新股 67,152,322 股作为对价，以受让联电增资发行之普通股新股 61,107,841 股，以及宏诚创投所持有之联电已发行普通股 16,078,737 股，换股比例为联电每 1 股换发颀邦 0.87 股。预计换股交易完成后，联电及子公司宏诚创投将共同持有颀邦约 9.09% 股权，颀邦则将持有联电约 0.62% 股权。
联电强调，联电当前以先进制程技术提供晶圆制造服务，为 IC 产业各项应用产品生产芯片，并且持续推出尖端制程技术及完整的解决方案，以符合客户的芯片设计需求，所提供方案横跨 14 奈米到 0.6 微米之制程技术。颀邦的技术制程主要是聚焦于面板驱动 IC 封装测试、覆晶凸块制作及晶圆级芯片尺寸封测 (WLCSP)，并持续投入扇出型系统级封装 (FOSiP) 及覆晶系统型封装 (FCSiP) 等相关高阶先进封装技术制程开发。
另外，联电为台湾最早经营面板驱动 IC 晶圆代工的厂商，亦为成功使用 28 奈米高压制程于 AMOLED 面板驱动 IC 之先行者，并已进阶至 22 奈米。颀邦则是全球驱动 IC 封测代工领导者，产能、技术独步全球。两家公司将在驱动 IC 领域密切合作，整合前、后段制程技术，往更高频、更低功耗等方向迈进，共同提供面板业界一元化的解决方案。
联电进一步表示，联电近年积极投入开发化合物半导体氮化镓 (GaN) 功率元件与射频元件制程开发，锁定市场商机为高效能电源功率元件及 5G 射频元件。颀邦在电源功率元件及射频元件封测市场经营多年，并已在此行业占有举足轻重之地位，服务项目包括覆晶凸块 (Bumping)、厚铜重布线 (RDL) 及晶圆级芯片尺寸 (WLCSP) 封测，适用晶圆材质除了硅 (Si) 外，也已经开始量产于砷化钾 (GaAs)、碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 等化合物晶圆上。颀邦也正在致力开发覆晶系统级 (FCSiP)、扇出型系统级 (FOSiP) 等先进封装技术。联电、颀邦分居产业供应链之上下游，两家公司将在这些市场区块通力合作。
联电总经理简山杰表示，联电一向致力于以全球化布局扩展营运规模、强化客户竞争力及提升股东价值。面对半导体技术日趋精进，基于产业趋势及市场共同性，联电除了研发自有晶圆代工技术，也与策略伙伴携手合作，结合双方技术优势，整合上下游供应链资源，提供客户先进的制程技术方案及更完整的全方位服务。
（首图来源：官网)
