摩根士丹利（大摩）看淡 NAND Flash 价格，引爆内存的庞大卖压。部分分析师强调，DRAM 价格仍稳，内存业情况不会太糟。然而，韩国消息透露，三星电子也许有意在韩国平泽（Pyeongtaek）厂大幅增产 DRAM，要是消息为真，将再次重创内存业。
韩媒 etnews 4 日报导，三星平泽厂区的半导体一号厂，共有两层楼。据称 2 楼无尘室建造进入最后阶段，三星订购首批 3D NAND Flash 设备，估计初期产能为每月 1 万组。
半导体一号厂的 1 楼设有餐厅和办公室等，剩余空间较少，每月只能生产 10 万组芯片。2 楼空间较多，每月可生产 20 万组芯片。2 楼分为东西两翼，东翼预定生产 7 万组 3D NAND Flash 和 3 万组 DRAM，西翼预定生产 10 万组 DRAM，三星不久后应会下单采购 DRAM 设备。
报导称，要是三星加快投资脚步，并决定把 2 楼多用于生产 DRAM，DRAM 可能供过于求，价格由涨转跌。业界人士说，内存价格取决于三星投资速度；不仅如此，三星的西安厂可能也会投资增产（应为 NAND Flash），料于 2018 年底或 2019 年启动。
此一消息也许不利美光。大摩分析师之前表示，尽管 NAND Flash 价格走低，DRAM 仍是亮点，将支撑美光股价。霸荣（Barron’s）1 日报导，大摩分析师 Joseph Moore 报告称，NAND 在美光营运比重占不到三分之一，大摩坚守 NAND 价格将跌的看法，但是由于 DRAM 价格持稳，美光仍有可观的盈余成长空间，近来拉回是进场机会。
1 日美光下跌 0.94% 收在 41.99 美元，为连续第 5 天收低。
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