根据国外媒体报导，荷兰曝光机生产大厂艾司摩尔（ASML）是目前全世界唯一生产极紫外光曝光设备（EUV）的厂商，用于先进半导体制程，也就是 7 奈米以下制程扮演关键性角色，包括台积电及三星都用来生产先进处理器（CPU）及绘图芯片，另外三星也用在内存 DRAM 制造。为了追上三星脚步，韩国另一家内存大厂 SK 海力士（SK Hynix）也宣布，预计自 2021 下半年开始量产采 EUV 技术的 DRAM。
报导指出，日前 SK 海力士高层就表示，计划 2021 下半年开始，在韩国利川厂区新设的 M16 产线采用 EUV 曝光设备生产第四代，就是 1a 奈米制程 DRAM 产品。M16 产线预计 2020 年底建造完成，2021 上半年开始导入制造设备并装机，目前实验室正在准备，预计 2021 下半年开始量产。
对内存来说，与 CPU 逻辑制程一样，近年来面临制程需微缩的问题。如果使用 EUV 曝光技术，可减少多重曝光过程，提供更细微的制程精度与良率，进一步减少产品生产时间并降低成本，还可提高效能。只是 EUV 曝光设备每部单价近 1.5 亿欧元，初期投资成本较深紫外光曝光设备（DUV）高许多，因此会让厂商考虑再三。
报导进一步指出，相较 SK 海力士将在 2021 年量产采用 EUV 技术打造的 DRAM，全球内存龙头三星都开始以 EUV 技术生产 DRAM。之前三星发表的 LPDDR5 16Gb DRAM 就是采用 EUV 技术生产，带宽为 6400MHz，相较 LPDDR5 12Gb DRAM 速度快 16%。
全球 3 大 DRAM 供应商中，就只剩美商美光（Micron）尚未采用 EUV 技术。台湾美光董事长徐国晋与媒体见面时，就表示美光没有采用 EUV 的计划，因以现有微影设备配合其他制程，可达到一样的效果。随着技术精进与市场需求，美光会否改变态度，有待后续观察。
（首图来源：Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0）
